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参数资料
| 型号： | HY27SS16561M-FCP |
| 厂商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 16M X 16 FLASH 1.8V PROM, 10000 ns, PBGA63 |
| 封装： | 9 X 11 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FBGA-63 |
| 文件页数： | 27/44页 |
| 文件大小： | 644K |
| 代理商： | HY27SS16561M-FCP |
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Rev 0.4 / Jun. 2004
33
Preliminary
HY27SS(08/16)561M Series
HY27US(08/16)561M Series
256Mbit (32Mx8bit / 16Mx16bit) NAND Flash
Note: Refer to table(To see Page 22) for the values of the manufacture and device codes.
Figure 26. Read Electronic Signature AC Waveform
Figure 27. Read Read A/ Read B Operation AC Waveform
I/O
RE
CE
Man.
code
90h
Device
code
Don't
Care
Don't
Care
00h
WE
ALE
CLE
Read Electronic
Signature Command
1st Cycle
Address
Manufacturer and
Device Code
Reserved For
Future Use
tALLRL1
tRLQV
(Read ES Access time)
I/O
RE
CE
WE
ALE
CLE
Busy
Data Output
from Address N to Last Byte or Word in Page
Data
N
Data
N+1
Data
N+2
Data
Last
Address N Input
Command
Code
tEHEL
tWHWL
tWHBL
tWHBH
tALLRL2
tRLRL
(Read Cycle time)
tRHQZ
tRHBL
tRLRH
tBLBH1
tEHQZ
tEHBH
RB
Add.N
cycle 1
Add.N
cycle 2
Add.N
cycle 3
00h or
01h
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY27UG084G2M-UPIP | 512M X 8 FLASH 3.3V PROM, 30 ns, PBGA52 |
| HY27UG084GDM-TPIS | 512M X 8 FLASH 3.3V PROM, 30 ns, PDSO48 |
| HY29F040AC-55E | 512K X 8 FLASH 5V PROM, 55 ns, PQCC32 |
| HY5116160CTC-70 | 1M X 16 FAST PAGE DRAM, 70 ns, PDSO44 |
| HY5116404BSLR-60 | 4M X 4 EDO DRAM, 60 ns, PDSO24 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HY27SS561M | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:256Mbit (32Mx8bit / 16Mx16bit) NAND Flash |
| HY27SSXXX | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash |
| HY27UA081G1M | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27UA161G1M | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27UA1G1M | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
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