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参数资料
| 型号： | HY27SS16561M-FCP |
| 厂商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 16M X 16 FLASH 1.8V PROM, 10000 ns, PBGA63 |
| 封装： | 9 X 11 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FBGA-63 |
| 文件页数： | 19/44页 |
| 文件大小： | 644K |
| 代理商： | HY27SS16561M-FCP |
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Rev 0.4 / Jun. 2004
26
Preliminary
HY27SS(08/16)561M Series
HY27US(08/16)561M Series
256Mbit (32Mx8bit / 16Mx16bit) NAND Flash
Table 11: Operating and AC Measurement Conditions
Note : (1). TBD
Table 12: Capacitance
Note: TA = 25oC, f = 1 MHz. CIN and CI/O are not 100% tested.
Parameter
NAND Flash
Unit
Min
Max
Supply Voltage (VCC)
1.8V devices
1.7
1.95
V
2.6V devices(1)
2.4
2.8
V
3.3V devices
2.7
3.6
V
Ambient Temperature (TA)
Commercial Temp.
0
70
oC
Indurstrial Temp.
-40
85
oC
Load Capacitance (CL) (1 TTL GATE and CL)
1.8V devices
30
pF
2.6V devices(1)
30
pF
3.3V devices
100
pF
Input Pulses Voltages
1.8V devices
0
VCC
V
2.6V devices(1)
0VCC
V
3.3V devices
0.4
2.4
V
Input and Output Timing Ref. Voltages
1.8V devices
VCC/2
V
2.6V devices(1)
V
3.3V devices
1.5
V
Input Rise and Fall Times
5
ns
Symbol
Parameter
Test Condition
Typ
Max
Unit
CIN
Input Capacitance
VIN = 0V
10
pF
CI/O
Input/Output Capacitance
VIL = 0V
10
pF
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY27UG084G2M-UPIP | 512M X 8 FLASH 3.3V PROM, 30 ns, PBGA52 |
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| HY5116160CTC-70 | 1M X 16 FAST PAGE DRAM, 70 ns, PDSO44 |
| HY5116404BSLR-60 | 4M X 4 EDO DRAM, 60 ns, PDSO24 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HY27SS561M | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:256Mbit (32Mx8bit / 16Mx16bit) NAND Flash |
| HY27SSXXX | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash |
| HY27UA081G1M | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27UA161G1M | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27UA1G1M | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
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