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参数资料
| 型号： | HY27SS16561M-FCP |
| 厂商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 16M X 16 FLASH 1.8V PROM, 10000 ns, PBGA63 |
| 封装： | 9 X 11 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FBGA-63 |
| 文件页数： | 32/44页 |
| 文件大小： | 644K |
| 代理商： | HY27SS16561M-FCP |
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Rev 0.4 / Jun. 2004
38
Preliminary
HY27SS(08/16)561M Series
HY27US(08/16)561M Series
256Mbit (32Mx8bit / 16Mx16bit) NAND Flash
Ready/Busy Signal Electrical Characteristics
Figures 32, 33 and 34 show the electrical characteristics for the Ready/Busy signal. The value required for the resistor
RP can be calculated using the following equation:
where IL is the sum of the input currents of all the devices tied to the Ready/Busy signal. RP max is determined by the
maximum value of tr.
Figure 32. Ready/Busy AC Waveform
Figure 34. Ready/Busy Load Circuit
ready
VOL
Vcc
VOH
tr
tf
busy
Vcc
Device
Vss
Rp
ibusy
RB
Open Drain Output
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY27UG084G2M-UPIP | 512M X 8 FLASH 3.3V PROM, 30 ns, PBGA52 |
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| HY29F040AC-55E | 512K X 8 FLASH 5V PROM, 55 ns, PQCC32 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HY27SS561M | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:256Mbit (32Mx8bit / 16Mx16bit) NAND Flash |
| HY27SSXXX | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash |
| HY27UA081G1M | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27UA161G1M | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27UA1G1M | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
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