参数资料
型号: IDT72T18105L10BB
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 30/55页
文件大小: 0K
描述: IC FIFO 131X18 2.5V 10NS 24BGA
标准包装: 1
系列: 72T
功能: 异步,同步
存储容量: 2.3K(131 x 18)
数据速率: 10MHz
访问时间: 10ns
电源电压: 2.375 V ~ 2.625 V
工作温度: 0°C ~ 70°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 240-BGA
供应商设备封装: 240-PBGA(19x19)
包装: 托盘
其它名称: 72T18105L10BB
36
COMMERCIALANDINDUSTRIAL
TEMPERATURERANGES
IDT72T1845/55/65/75/85/95/105/115/125 2.5V TeraSync 18-BIT/9-BIT FIFO 2Kx18/4Kx9, 4Kx18/
8Kx9, 8Kx18/16Kx9, 16Kx18/32Kx9, 32Kx18/64Kx9, 64Kx18/128Kx9, 128Kx18/256Kx9, 256Kx18/512Kx9, 512Kx18/1Mx9
FEBRUARY 10, 2009
Figure 11. Write Cycle and Full Flag Timing (IDT Standard Mode)
D0 - Dn
WEN
RCLK
REN
tENH
tENH
Q0 - Qn
DATA READ
NEXT DATA READ
tSKEW1
(1)
5909 drw15
WCLK
NO WRITE
1
2
1
2
NO WRITE
tWFF
tA
tENS
tENS
(1)
tDS
tA
DX
tDH
tCLK
tCLKH
FF
RCS
tENS
tRCSLZ
tWFF
tSKEW1
tCLKL
DX+1
tWFF
tDS
tDH
Figure 12. Read Cycle, Output Enable, Empty Flag and First Data Word Latency (IDT Standard Mode)
5909 drw16
D0 - Dn
tDS
tDH
D0
D1
tDS
tDH
NO OPERATION
RCLK
REN
EF
tCLK
tCLKH
tCLKL
tENH
tREF
tA
tOLZ
Q0 - Qn
OE
WCLK
(1)
tSKEW1
WEN
tENS
tENH
1
2
tOLZ
NO OPERATION
LAST WORD
D0
D1
tENS
tENH
tOHZ
LAST WORD
tREF
tENH
tENS
tA
tREF
tENS
tENH
WCS
tOE
tWCSS
tWCSH
NOTES:
1. tSKEW1 is the minimum time between a rising WCLK edge and a rising RCLK edge to guarantee that
EF will go HIGH (after one RCLK cycle plus tREF). If the time between the
rising edge of WCLK and the rising edge of RCLK is less than tSKEW1, then
EF deassertion may be delayed one extra RCLK cycle.
2.
LD = HIGH.
3. First data word latency = tSKEW1 + 1*TRCLK + tREF.
4.
RCS is LOW.
NOTES:
1. tSKEW1 is the minimum time between a rising RCLK edge and a rising WCLK edge to guarantee that
FF will go HIGH (after one WCLK cycle pus tWFF). If the time between the
rising edge of the RCLK and the rising edge of the WCLK is less than tSKEW1, then the
FF deassertion may be delayed one extra WCLK cycle.
2.
LD = HIGH, OE = LOW, EF = HIGH.
3.
WCS = LOW.
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