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参数资料
| 型号： | IS42VS16160D-75BLI |
| 厂商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 16M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PBGA54 |
| 封装： | 13 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, MS-207, BGA-54 |
| 文件页数： | 7/61页 |
| 文件大小： | 939K |
| 代理商： | IS42VS16160D-75BLI |
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Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com
15
Rev. 00A
04/21/09
IS42VS83200D, IS42VS16160D
IS45VS83200D, IS45VS16160D
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(1)
Symbol
Parameters
Rating
Unit
Vdd max
MaximumSupplyVoltage
–0.35to+2.6
V
Vddq max
MaximumSupplyVoltageforOutputBuffer
–0.35to+2.6
V
Vin
InputVoltage
–0.35toVdd+0.5
V
Vout
OutputVoltage
–0.35toVddq+0.5
V
Pd max
AllowablePowerDissipation
1
W
Ics
outputShortedCurrent
50
mA
Topr
operatingTemperature
Com.
0 to +70
°C
Ind./A1
–40to+85
A2
–40to+105
Tstg
StorageTemperature
–65to+150
°C
DC RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
(Ta=0oC to +70oCforCommercialgrade.Ta=-40oCto+85oCforIndustrialandA1grade.Ta=-40oCto+105oCforA2grade.)
Symbol
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Unit
Vdd
SupplyVoltage
1.7
1.8
1.95
V
Vddq
I/OSupplyVoltage
1.7
1.8
1.95
V
Vih(1)
InputHighVoltage
0.8xVddq
—
Vddq +0.3
V
Vil(2)
InputLowVoltage
-0.3
—
+0.3
V
CAPACITANCE CHARACTERISTICS (AtTa=0to+25°C,Vdd=Vddq =1.8±0.1V)
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Unit
Cin1
InputCapacitance:CLK
2.5
3.5
pF
Cin2
InputCapacitance:Allotherinputpins
2.5
3.8
pF
CI/O
DataInput/OutputCapacitance:DQS
4.0
6.0
pF
Note:
1.Vih (overshoot): Vih (max)=Vddq +1.2V (pulse width < 3ns).
2.Vil (undershoot): Vih (min)=-1.2V (pulse width < 3ns).
3. AllvoltagesarereferencedtoVss.
Notes:
1. StressgreaterthanthoselistedunderABSOLUTEMAXIMUMRATINGSmaycausepermanentdamageto
thedevice.Thisisastressratingonlyandfunctionaloperationofthedeviceattheseoranyotherconditions
abovethoseindicatedintheoperationalsectionsofthisspecificationisnotimplied.Exposuretoabsolute
maximumratingconditionsforextendedperiodsmayaffectreliability.
2. AllvoltagesarereferencedtoVss.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS45VS16160D-8BLA2 | 16M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA54 |
| IS43R32800B-5BL | 8M X 32 DDR DRAM, 0.7 ns, PBGA144 |
| IS61C512-25TI | x8 SRAM |
| IS61C512-35J | x8 SRAM |
| IS61C512-35JI | x8 SRAM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IS42VS16400C1 | 制造商:ISSI 制造商全称:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42VS16400C1-10T | 制造商:ISSI 制造商全称:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42VS16400C1-10TL | 制造商:ISSI 制造商全称:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42VS16400C1-10TLI | 制造商:ISSI 制造商全称:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42VS16400C1-12T | 制造商:ISSI 制造商全称:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
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