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参数资料
| 型号： | IS42VS16160D-75BLI |
| 厂商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 16M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PBGA54 |
| 封装： | 13 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, MS-207, BGA-54 |
| 文件页数： | 9/61页 |
| 文件大小： | 939K |
| 代理商： | IS42VS16160D-75BLI |
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Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com
17
Rev. 00A
04/21/09
IS42VS83200D, IS42VS16160D
IS45VS83200D, IS45VS16160D
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (1,2,3)
-75
-8
Symbol Parameter
Min. Max.
Min.
Max.
Units
tck3
ClockCycleTime
CAS
Latency=3
7.5 —
8 —
ns
tck2
CAS
Latency=2
10 —
ns
tac3
AccessTimeFromCLK
CAS
Latency=3
— 5.4
— 6
ns
tac2
CAS
Latency=2
— 8
ns
tchi
CLKHIGHLevelWidth
2.5 —
ns
tcl
CLKLOWLevelWidth
2.5 —
ns
toh3
OutputDataHoldTime
CAS
Latency=3
2.7 —
ns
toh2
CAS
Latency=2
2.7 —
ns
tlz
OutputLOWImpedanceTime
0 —
ns
thz
OutputHIGHImpedanceTime
2.7 5.4
2.7 6
ns
tds
InputDataSetupTime(2)
1.5 —
ns
tdh
InputDataHoldTime(2)
1.0 —
ns
tas
AddressSetupTime(2)
1.5 —
ns
tah
AddressHoldTime(2)
1.0 —
ns
tcks
CKESetupTime(2)
1.5 —
ns
tckh
CKEHoldTime(2)
1.0 —
ns
tcs
CommandSetupTime(CS, RAS, CAS, WE,DQM)(2)
1.5 —
ns
tch
CommandHoldTime(CS, RAS, CAS, WE,DQM)(2)
1.0 —
ns
trc
CommandPeriod(REFtoREF/ACTtoACT)
67.5 —
72 —
ns
tras
CommandPeriod(ACTtoPRE)
45 100K
48 100K
ns
trp
CommandPeriod(PREtoACT)
20 —
ns
trcd
ActiveCommandToRead/WriteCommandDelayTime
20 —
ns
trrd
CommandPeriod(ACT[0]toACT[1])
15 —
16 —
ns
tdpl
InputDataToPrecharge
15 —
16 —
ns
CommandDelaytime
tdal
InputDataToActive/Refresh
37.5
—
40 —
ns
CommandDelaytime(DuringAuto-Precharge)
tmrd
ModeRegisterProgramTime
15 —
16 —
ns
tdde
PowerDownExitSetupTime
7.5 —
8 —
ns
txsr
exitSelf-RefreshtoActiveTime(4)
80 —
ns
tt
TransitionTime
0.3 1.2
ns
tref
RefreshCycleTime(8192)
Ta
≤ 70oCCom,Ind,A1,A2
— 64
ms
Ta
≤ 85oCInd,A1,A2
— 64
ms
Ta
> 85oCA2
— 16
ms
Notes:
1. Thepower-onsequencemustbeexecutedbeforestartingmemoryoperation.
2. measured with tt =1ns.Ifclockrisingtimeislongerthan1ns,(tr/2-0.5)nsshouldbeaddedtotheparameter.
3.Thereferencelevelis0.9Vwhenmeasuringinputsignaltiming.RiseandfalltimesaremeasuredbetweenVih(min.)andVil
(max).
4.Self-RefreshModeisnotsupportedforA2gradewithTa>85oC.
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PDF描述 |
|---|---|
| IS45VS16160D-8BLA2 | 16M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA54 |
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| IS61C512-35JI | x8 SRAM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IS42VS16400C1 | 制造商:ISSI 制造商全称:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42VS16400C1-10T | 制造商:ISSI 制造商全称:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42VS16400C1-10TL | 制造商:ISSI 制造商全称:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42VS16400C1-10TLI | 制造商:ISSI 制造商全称:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42VS16400C1-12T | 制造商:ISSI 制造商全称:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
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