- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录296249 > IS42VS16160D-75BLI (INTEGRATED SILICON SOLUTION INC) 16M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PBGA54 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IS42VS16160D-75BLI |
| 厂商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 16M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PBGA54 |
| 封装： | 13 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, MS-207, BGA-54 |
| 文件页数： | 8/61页 |
| 文件大小： | 939K |
| 代理商： | IS42VS16160D-75BLI |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页当前第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页
16
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com
Rev. 00A
04/21/09
IS42VS83200D, IS42VS16160D
IS45VS83200D, IS45VS16160D
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS 1 (RecommendedOperationConditionsunlessotherwisenoted.)
Symbol Parameter
Test Condition
-75
-8
Unit
idd1 (1)
OperatingCurrent
Onebankactive,CL=3,BL=1,
100
95
mA
tclk=tclk(min),trc=trc(min)
idd2p
PrechargeStandbyCurrent CKE≤ Vil (max),tck=15ns
1.2
mA
(InPower-DownMode)
idd2ps
PrechargeStandbyCurrent CKE≤ Vil (max),CLK≤ Vil (max)
1.2
mA
(InPower-DownMode)
idd2n (2)
PrechargeStandbyCurrent CS ≥ Vcc-0.2V,CKE≥ Vih (min)
25
mA
(InNonPower-DownMode)
tck=15ns
Idd2ns
PrechargeStandbyCurrent CS ≥ Vcc-0.2V,CKE≥ Vih (min)
15
mA
(InNonPower-DownMode)
or CKE≤ Vil (max),Allinputsstable
idd3p
ActiveStandbyCurrent
CKE≤ Vil (max),tck=15ns
3
mA
(Power-DownMode)
idd3ps
ActiveStandbyCurrent
CKE≤ Vil (max),CLK≤ Vil (max)
3
mA
(Power-DownMode)
idd3n (2)
Active Standby Current
CS ≥
Vcc-0.2V,CKE≥ Vih (min)
35
mA
(InNonPower-DownMode)
tck=15ns
Idd3ns
Active Standby Current
CS ≥
Vcc-0.2V,CKE≥ Vih (min)
25
mA
(InNonPower-DownMode)
or CKE≤ Vil (max),Allinputsstable
idd4
OperatingCurrent
Allbanksactive,BL=4,CL=3,
130
125
mA
tck=tck(min)
idd5
Auto-RefreshCurrent
trc=trc(min),tclk=tclk(min)
180
170
mA
idd6
Self-RefreshCurrent
CKE≤ 0.2V
3
mA
Notes:
1. Idd (max)isspecifiedattheoutputopencondition.
2. Inputsignalsarechangedonetimeduring30ns.
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS 2 (RecommendedOperationConditionsunlessotherwisenoted.)
Symbol Parameter
Test Condition
Min
Max
Unit
iil
InputLeakageCurrent
0V≤Vin≤Vcc,withpinsotherthan
-1
1
A
thetestedpinat0V
iol
OutputLeakageCurrent
Outputisdisabled,0V≤Vout≤Vcc,
-1.5
1.5
A
Voh
OutputHighVoltageLevel
Ioh=-100
mA
0.9xVddq
—
V
Vol
OutputLowVoltageLevel
Iol=100
mA
—
0.2
V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS45VS16160D-8BLA2 | 16M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA54 |
| IS43R32800B-5BL | 8M X 32 DDR DRAM, 0.7 ns, PBGA144 |
| IS61C512-25TI | x8 SRAM |
| IS61C512-35J | x8 SRAM |
| IS61C512-35JI | x8 SRAM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IS42VS16400C1 | 制造商:ISSI 制造商全称:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42VS16400C1-10T | 制造商:ISSI 制造商全称:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42VS16400C1-10TL | 制造商:ISSI 制造商全称:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42VS16400C1-10TLI | 制造商:ISSI 制造商全称:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42VS16400C1-12T | 制造商:ISSI 制造商全称:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。