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参数资料
| 型号： | MT46H128M32L4MA-54:A |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 128M X 32 DDR DRAM, 5 ns, PBGA168 |
| 封装： | 12 X 12 MM, GREEN, PLASTIC, WFBGA-168 |
| 文件页数： | 101/106页 |
| 文件大小： | 3431K |
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Figure 53: Bank Read – With Auto Precharge
CK
CK#
CKE
A10
BA0, BA1
tCK
tCH
tCL
tIS
tIH
tIS
tIH
tIS tIH
Row
tRCD
tRAS
tRC
tRP
CL = 2
DM
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T5n
T6n
T6
T7
T8
DQ4,5
DQS4
Case 1: tAC (MIN) and tDQSCK (MIN)
Case 2: tAC (MAX) and tDQSCK (MAX)
DQ4,5
DQS4
tHZ (MAX)
NOP1
Command
ACTIVE
Row
Col n
READ2
Bank x
Row
Bank x
ACTIVE
Bank x
NOP1
Don’t Care
Transitioning Data
Address
NOP1
tRPRE
tDQSCK (MAX)
tAC (MAX)
DOUT
n
DOUT
n + 1
DOUT
x
DOUT
x + 1
DOUT
n
DOUT
n + 1
DOUT
x
DOUT
x + 1
tDQSCK (MIN)
tAC (MIN)
tLZ (MIN)
tRPRE
tRPST
tLZ (MIN)
Note 3
tRPST
Notes: 1. NOP commands are shown for ease of illustration; other commands may be valid at
these times.
2. BL = 4 in the case shown.
3. Enable auto precharge.
4. Refer to Figure 38 (page 77) and Figure 39 (page 78) for detailed DQS and DQ timing.
5. DOUT n = data-out from column n.
2Gb: x16, x32 Mobile LPDDR SDRAM
Auto Precharge
PDF: 09005aef83a73286
2gb_ddr_mobile_sdram_t69m.pdf - Rev. M 11/10 EN
94
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT46H128M32LFCM-5AT:A | 128M X 32 DDR DRAM, 5 ns, PBGA90 |
| MT46H128M32LFCM-5IT:A | 128M X 32 DDR DRAM, 5 ns, PBGA90 |
| MT46V128M4FN-75E:C | 128M X 4 DDR DRAM, 0.75 ns, PBGA60 |
| MT46V128M4P-75L:C | 128M X 4 DDR DRAM, 0.75 ns, PDSO66 |
| MT46V128M4P-75ZLIT:C | 128M X 4 DDR DRAM, 0.75 ns, PDSO66 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MT46H16M16 | 制造商:MICRON 制造商全称:Micron Technology 功能描述:Mobile Double Data Rate (DDR) SDRAM |
| MT46H16M16LF | 制造商:MICRON 制造商全称:Micron Technology 功能描述:Mobile Double Data Rate (DDR) SDRAM |
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