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参数资料
| 型号： | MT46H128M32L4MA-54:A |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 128M X 32 DDR DRAM, 5 ns, PBGA168 |
| 封装： | 12 X 12 MM, GREEN, PLASTIC, WFBGA-168 |
| 文件页数： | 26/106页 |
| 文件大小： | 3431K |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页当前第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页
Electrical Specifications
Stresses greater than those listed may cause permanent damage to the device. This is a
stress rating only, and functional operation of the device at these or any other condi-
tions above those indicated in the operational sections of this specification is not
implied. Exposure to absolute maximum rating conditions for extended periods may
affect reliability.
Table 4: Absolute Maximum Ratings
Note 1 applies to all parameters in this table
Parameter
Symbol
Min
Max
Unit
VDD/VDDQ supply voltage relative to VSS
VDD/VDDQ
–1.0
2.4
V
Voltage on any pin relative to VSS
VIN
–0.5
2.4 or (VDDQ + 0.3V),
whichever is less
V
Storage temperature (plastic)
TSTG
–55
150
C
Note: 1. VDD and VDDQ must be within 300mV of each other at all times. VDDQ must not exceed
VDD.
Table 5: AC/DC Electrical Characteristics and Operating Conditions
Notes 1–5 apply to all parameters/conditions in this table; VDD/VDDQ = 1.70–1.95V
Parameter/Condition
Symbol
Min
Max
Unit
Notes
Supply voltage
VDD
1.70
1.95
V
I/O supply voltage
VDDQ
1.70
1.95
V
Address and command inputs
Input voltage high
VIH
0.8 × VDDQ
VDDQ + 0.3
V
Input voltage low
VIL
–0.3
0.2 × VDDQ
V
Clock inputs (CK, CK#)
DC input voltage
VIN
–0.3
VDDQ + 0.3
V
DC input differential voltage
VID(DC)
0.4 × VDDQ
VDDQ + 0.6
V
AC input differential voltage
VID(AC)
0.6 × VDDQ
VDDQ + 0.6
V
AC differential crossing voltage
VIX
0.4 × VDDQ
0.6 × VDDQ
V
Data inputs
DC input high voltage
VIH(DC)
0.7 × VDDQ
VDDQ + 0.3
V
DC input low voltage
VIL(DC)
–0.3
0.3 × VDDQ
V
AC input high voltage
VIH(AC)
0.8 × VDDQ
VDDQ + 0.3
V
AC input low voltage
VIL(AC)
–0.3
0.2 × VDDQ
V
Data outputs
DC output high voltage: Logic 1 (IOH = –0.1mA)
VOH
0.9 × VDDQ
–
V
DC output low voltage: Logic 0 (IOL = 0.1mA)
VOL
–
0.1 × VDDQ
V
Leakage current
Input leakage current
Any input 0V
≤ VIN ≤ VDD
(All other pins not under test = 0V)
II
–1
1
μA
2Gb: x16, x32 Mobile LPDDR SDRAM
Electrical Specifications
PDF: 09005aef83a73286
2gb_ddr_mobile_sdram_t69m.pdf - Rev. M 11/10 EN
26
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PDF描述 |
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