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参数资料
| 型号： | MT46H128M32L4MA-54:A |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 128M X 32 DDR DRAM, 5 ns, PBGA168 |
| 封装： | 12 X 12 MM, GREEN, PLASTIC, WFBGA-168 |
| 文件页数： | 61/106页 |
| 文件大小： | 3431K |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页当前第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页
Figure 24: Initialize and Load Mode Registers
CKE
LVCMOS
HIGH LEVEL
DQ
BA0, BA1
Load standard
mode register
Load extended
mode register
tMRD4
tRFC4
Power-up: VDD and CK stable
T = 200s
High-Z
DM
DQS
High-Z
Address
Row
A10
Row
CK
CK#
VDD
VDDQ
tCH
tCL
tCK
Command1
LMR
NOP
LMR
tIS tIH
BA0 = L,
BA1 = L
BA0 = L,
BA1 = H
Op-code
tIS tIH
Op-code
PRE
All banks
T0
T1
Ta0
Tb0
Tc0
Td0
Te0
Tf0
Don’t Care
Bank
(
)
(
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(
)
(
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tRP4
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NOP2
AR
(
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(
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(
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(
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(
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(
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(
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(
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(
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NOP3
(
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(
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(
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(
)
(
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(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
ACT3
Notes: 1. PRE = PRECHARGE command; LMR = LOAD MODE REGISTER command; AR = AUTO RE-
FRESH command; ACT = ACTIVE command.
2. NOP or DESELECT commands are required for at least
200μs.
3. Other valid commands are possible.
4. NOPs or DESELECTs are required during this time.
2Gb: x16, x32 Mobile LPDDR SDRAM
Initialization
PDF: 09005aef83a73286
2gb_ddr_mobile_sdram_t69m.pdf - Rev. M 11/10 EN
58
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| MT46H128M32LFCM-5AT:A | 128M X 32 DDR DRAM, 5 ns, PBGA90 |
| MT46H128M32LFCM-5IT:A | 128M X 32 DDR DRAM, 5 ns, PBGA90 |
| MT46V128M4FN-75E:C | 128M X 4 DDR DRAM, 0.75 ns, PBGA60 |
| MT46V128M4P-75L:C | 128M X 4 DDR DRAM, 0.75 ns, PDSO66 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MT46H16M16 | 制造商:MICRON 制造商全称:Micron Technology 功能描述:Mobile Double Data Rate (DDR) SDRAM |
| MT46H16M16LF | 制造商:MICRON 制造商全称:Micron Technology 功能描述:Mobile Double Data Rate (DDR) SDRAM |
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