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参数资料
| 型号： | MT48LC2M32LFFC |
| 厂商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | 512K x 32 x 4 banks 3.3v SDRAM(3.3V,512K x 32 x 4组同步动态RAM) |
| 中文描述： | 为512k × 32 × 4银行3.3V的内存电压（3.3V，512K采样× 32 × 4组同步动态RAM）的 |
| 文件页数： | 33/50页 |
| 文件大小： | 1054K |
| 代理商： | MT48LC2M32LFFC |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页当前第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页
33
64Mb: x32, 3.3V SDRAM
BatRam_3V.p65 – Rev. 0.7, Pub. 2/01
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2001, Micron Technology, Inc.
64Mb: x32, 3.3V
SDRAM
PRELIMINARY
AC FUNCTIONAL CHARACTERISTICS
(Notes: 5, 6, 8, 9, 11; notes appear on page 34) 0oC
￡
T
A
￡
+70oC)
PARAMETER
READ/WRITE command to READ/WRITE command
CKE to clock disable or power-down entry mode
CKE to clock enable or power-down exit setup mode
DQM to input data delay
DQM to data mask during WRITEs
DQM to data high-impedance during READs
WRITE command to input data delay
Data-in to ACTIVE command
SYMBOL
t
CCD
t
CKED
t
PED
t
DQD
t
DQM
t
DQZ
t
DWD
t
DAL
t
DAL
t
DPL
t
DPL
t
BDL
t
CDL
t
RDL
t
RDL
t
MRD
t
ROH (3)
t
ROH (2)
-8
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0
0
2
0
4
5
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1
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2
3
2
-10
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1
1
0
0
2
0
4
5
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2
1
1
1
2
2
3
2
UNITS
t
CK
t
CK
t
CK
t
CK
t
CK
t
CK
t
CK
t
CK
t
CK
t
CK
t
CK
t
CK
t
CK
t
CK
t
CK
t
CK
t
CK
t
CK
NOTES
17
14
14
17
17
17
17
15, 21
15, 21
16, 21
16, 21
17
17
16, 21
16, 21
26
17
17
B1 version
B2 version
B1 version
B2 version
Data-in to PRECHARGE command
Last data-in to burst STOP command
Last data-in to new READ/WRITE command
Last data-in to PRECHARGE command
B1 version
B2 version
LOAD MODE REGISTER command to ACTIVE or REFRESH
Data-out to high-impedance from PRECHARGE command
CL = 3
CL = 2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| MT48LC8M16A2 | SYNCHRONOUS DRAM |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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