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参数资料
| 型号： | MT48LC2M32LFFC |
| 厂商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | 512K x 32 x 4 banks 3.3v SDRAM(3.3V,512K x 32 x 4组同步动态RAM) |
| 中文描述： | 为512k × 32 × 4银行3.3V的内存电压（3.3V，512K采样× 32 × 4组同步动态RAM）的 |
| 文件页数： | 44/50页 |
| 文件大小： | 1054K |
| 代理商： | MT48LC2M32LFFC |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页当前第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页
44
64Mb: x32, 3.3V SDRAM
BatRam_3V.p65 – Rev. 0.7, Pub. 2/01
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2001, Micron Technology, Inc.
64Mb: x32, 3.3V
SDRAM
PRELIMINARY
READ – DQM OPERATION
1
NOTE:
1. For this example, the CAS latency = 2.
2. A8 and A9 = “ Don’t Care”
3. Page left open; no
t
RP.
tCH
tCL
tCK
tRCD
CAS Latency
CKE
CLK
DQ
A10
tCMS
ROW
BANK
ROW
BANK
DON’T CARE
UNDEFINED
tAC
LZ
t
D
OUT
m
tHZ
tOH
D
OUT
m
+ 3
tHZ
D
OUT
m
+ 2
LZ
t
tCMH
COMMAND
NOP
NOP
NOP
ACTIVE
NOP
READ
NOP
NOP
NOP
tAC
tOH
tAC
tOH
tAH
tAS
tCMS
tCMH
tAH
tAS
tAH
tAS
tCKH
tCKS
ENABLE AUTO PRECHARGE
DISABLE AUTO PRECHARGE
COLUMN
m
2
T0
T1
T2
T4
T3
T5
T6
T7
T8
BA0, BA1
DQM 0-3
A0-A9
*CAS latency indicated in parentheses.
-8
-10
SYMBOL*
t
CKH
t
CKS
t
CMH
t
CMS
t
HZ (3)
t
HZ (2)
t
HZ (1)
t
LZ
t
OH
t
RCD
MIN
1
2
1
2
MAX
MIN
1
2
1
2
MAX
UNITS
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
7
8
22
7
8
22
1
1
2.5
20
2.5
20
TIMING PARAMETERS
-8
-10
SYMBOL*
t
AC (3)
t
AC (2)
t
AC (1)
t
AH
t
AS
t
CH
t
CL
t
CK (3)
t
CK (2)
t
CK (1)
MIN
MAX
7
8
22
MIN
MAX
7
8
22
UNITS
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
1
1
2.5
3
3
8
13
25
2.5
3
3
10
13
25
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PDF描述 |
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