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参数资料
| 型号： | MT48LC2M32LFFC |
| 厂商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | 512K x 32 x 4 banks 3.3v SDRAM(3.3V,512K x 32 x 4组同步动态RAM) |
| 中文描述： | 为512k × 32 × 4银行3.3V的内存电压（3.3V，512K采样× 32 × 4组同步动态RAM）的 |
| 文件页数： | 46/50页 |
| 文件大小： | 1054K |
| 代理商： | MT48LC2M32LFFC |
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46
64Mb: x32, 3.3V SDRAM
BatRam_3V.p65 – Rev. 0.7, Pub. 2/01
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2001, Micron Technology, Inc.
64Mb: x32, 3.3V
SDRAM
PRELIMINARY
WRITE – WITH AUTO PRECHARGE
1
NOTE:
1. For this example, the burst length = 4.
2. This fast frequency,
t
WR >
t
CK, requires “ two clocks”.
3. A8 and A9 = “ Don’t Care”
*CAS latency indicated in parentheses.
-8
-10
SYMBOL*
t
CMS
t
DH
t
DS
t
RAS
t
RC
t
RCD
t
RP
t
WR
MIN
2
1
2
48
80
20
20
1 CLK +
7ns
MAX
MIN
2
1
2
50
100
20
20
1 CLK +
5ns
MAX
UNITS
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
–
120,000
120,000
TIMING PARAMETERS
-8
-10
SYMBOL*
t
AH
t
AS
t
CH
t
CL
t
CK (3)
t
CK (2)
t
CK (1)
t
CKH
t
CKS
t
CMH
MIN
1
2.5
3
3
8
13
25
1
2
1
MAX
MIN
1
2.5
3
3
10
13
25
1
2
1
MAX
UNITS
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
DON’T CARE
UNDEFINED
ENABLE AUTO PRECHARGE
tCH
tCL
tCK
tRP
tRAS
tRC
tRCD
CKE
CLK
DQ
A10
tCMH
tCMS
tAH
tAS
ROW
ROW
BANK
BANK
ROW
ROW
BANK
tWR
D
IN
m
tDH
tDS
D
IN
m
+ 1
D
IN
m
+ 2
D
IN
m
+ 3
COMMAND
tCMH
tCMS
NOP
NOP
NOP
ACTIVE
NOP
WRITE
NOP
ACTIVE
tAH
tAS
tAH
tAS
tDH
tDS
tDH
tDS
tDH
tDS
tCKH
tCKS
NOP
NOP
COLUMN
m
3
2
T0
T1
T2
T4
T3
T5
T6
T7
T8
T9
BA0, BA1
DQM 0-3
A0-A9
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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