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参数资料
| 型号： | MT49H16M16FM |
| 厂商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | REDUCED LATENCY DRAM RLDRAM |
| 中文描述： | 低延迟DRAM延迟DRAM |
| 文件页数： | 22/43页 |
| 文件大小： | 652K |
| 代理商： | MT49H16M16FM |
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22
256: x16, x32 RLDRAM
MT49H8M32_3.p65 – Rev. 3, Pub. 6/02
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2002, Micron Technology, Inc.
ADVANCE
256Mb: x16, x32
2.5V V
EXT
, 1.8V V
DD
, 1.8V V
DD
Q, RLDRAM
DESCRIPTION
NOTE:
1. All timing parameters are referenced to V
REF
or to the signal crossing points for different signals.
2. Parameter only valid within one DQS/DQ group, e.g., DQS0, DQS0# and DQ0–DQ7; DQS1, DQS1# and DQ8–DQ15.
3. The rising and falling edges of DVLD are referenced to falling edges of DQS.
4. In Matched Impedance Mode, TBD cycles are required.
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Notes 4, 5) (+20°C
￡
T
J
￡
+110°C; +1.75V
￡
V
DD
￡
+1.85V)
-3.3
-4
-5
SYMBOL
MIN
MAX
MIN
MAX
MIN
MAX
UNITS
NOTES
Clock
Clock cycle time
Clock HIGH time
Clock LOW time
Clock to DQS,DQS#
DQS,DQS# HIGH time
DQS,DQS# LOW time
Output Times
DQS to output valid
DQS to output High-Z
DQS# to DVLD
MRS to any command
Setup Times
Address/Command
Data-in
Hold Times
Address/Command
Data-in
t
CK
t
CKH
t
CKL
t
CKDQS
t
DQSH
t
DQSL
3.3
0.45
0.45
2.3
0.4
0.4
4.0
0.45
0.45
2.3
0.4
0.4
5.0
0.45
0.45
2.3
0.4
0.4
ns
t
CK
t
CK
ns
t
CK
t
CK
0.55
0.55
3.7
0.6
0.6
0.55
0.55
3.7
0.6
0.6
0.55
0.55
3.7
0.6
0.6
1
t
QSQ
t
QSQHZ
t
QSVLD
t
MRSC
-0.3
0.4
-0.4
4
0.3
-0.3
0.4
-0.4
4
0.3
-0.3
0.4
-0.4
4
0.3
ns
ns
ns
t
CK
2
0.4
0.4
0.4
3
4
t
AS/
t
CS
t
DS
1.0
0.5
1.0
0.5
1.0
0.5
ns
ns
t
AH/
t
CH
t
DH
1.0
0.5
1.0
0.5
1.0
0.5
ns
ns
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PDF描述 |
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