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参数资料
| 型号： | MT49H16M16FM |
| 厂商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | REDUCED LATENCY DRAM RLDRAM |
| 中文描述： | 低延迟DRAM延迟DRAM |
| 文件页数： | 31/43页 |
| 文件大小： | 652K |
| 代理商： | MT49H16M16FM |
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31
256: x16, x32 RLDRAM
MT49H8M32_3.p65 – Rev. 3, Pub. 6/02
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2002, Micron Technology, Inc.
ADVANCE
256Mb: x16, x32
2.5V V
EXT
, 1.8V V
DD
, 1.8V V
DD
Q, RLDRAM
EXAMPLE OF REFRESH IMPLEMENTATION
(Cyclic Bank Burst Refresh)
NOTE:
1. Cyclic Burst refresh on all Banks.
2. Each Refresh command on the next Bank is asserted on the next clock rising edge.
3. Cycle for a burst refresh: 32ms/8192 = 3.9μs.
CLK/CLK#
CMD/ADR
RF0
RF1
RF2
RF3
RF4
RF5
RF6
RF7
RF0
RF1
RF2
RF3
RF4
RF5
RF6
RF7
3.9μs
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT49H8M32 | THERMISTOR PTC 100OHM 120DEG RAD |
| MT49H8M32FM | REDUCED LATENCY DRAM RLDRAM |
| MT4C1M16E5DJ-6 | EDO DRAM |
| MT4LC1M16E5DJ-6S | EDO DRAM |
| MT4LC1M16E5 | EDO DRAM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| MT49H16M16FM-4 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述: 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:DRAM CHIP RLDRAM 256MBIT 1.8V 144FBGA - Trays |
| MT49H16M16FM-4 ES | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:DRAM CHIP RLDRAM 256MBIT 1.8V 144FBGA - Trays |
| MT49H16M16FM-5 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述: |
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