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参数资料
| 型号： | MT49H16M16FM |
| 厂商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | REDUCED LATENCY DRAM RLDRAM |
| 中文描述： | 低延迟DRAM延迟DRAM |
| 文件页数： | 28/43页 |
| 文件大小： | 652K |
| 代理商： | MT49H16M16FM |
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28
256: x16, x32 RLDRAM
MT49H8M32_3.p65 – Rev. 3, Pub. 6/02
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2002, Micron Technology, Inc.
ADVANCE
256Mb: x16, x32
2.5V V
EXT
, 1.8V V
DD
, 1.8V V
DD
Q, RLDRAM
READ TO WRITE TIMING
(BL = 2, WL = 2)
NOTE:
1. In order to avoid bus contention from a READ to a WRITE the proper number of clock cycles has to be inserted.
CK/CK#
DQS,
DQS#
CS#, AS#, REF#,
A[19:0], BA[2:0],
DM[1:0]
DQ
1
2
3
4
5
6
7
8
9
RL = 5 tCK
Last READ
command
Prevent bus
contention
Earliest WRITE
command
Q0b
Q0a
RB3
NOP
NOP
NOP
NOP
WB4
NOP
Q1b
Q1a
Q2b
Q2a
Q3b
Q3a
D4b
D4a
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT49H8M32 | THERMISTOR PTC 100OHM 120DEG RAD |
| MT49H8M32FM | REDUCED LATENCY DRAM RLDRAM |
| MT4C1M16E5DJ-6 | EDO DRAM |
| MT4LC1M16E5DJ-6S | EDO DRAM |
| MT4LC1M16E5 | EDO DRAM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MT49H16M16FM-33 ES | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:DRAM CHIP RLDRAM 256MBIT 1.8V 144PIN UBGA - Trays |
| MT49H16M16FM-33 TR | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:16MX16 RLDRAM PLASTIC FBGA 1.8V COMMON I/O 8 BANKS 1.8V I/O - Tape and Reel |
| MT49H16M16FM-4 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述: 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:DRAM CHIP RLDRAM 256MBIT 1.8V 144FBGA - Trays |
| MT49H16M16FM-4 ES | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:DRAM CHIP RLDRAM 256MBIT 1.8V 144FBGA - Trays |
| MT49H16M16FM-5 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述: |
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