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参数资料
| 型号： | MT49H16M16FM |
| 厂商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | REDUCED LATENCY DRAM RLDRAM |
| 中文描述： | 低延迟DRAM延迟DRAM |
| 文件页数： | 37/43页 |
| 文件大小： | 652K |
| 代理商： | MT49H16M16FM |
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37
256: x16, x32 RLDRAM
MT49H8M32_3.p65 – Rev. 3, Pub. 6/02
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2002, Micron Technology, Inc.
ADVANCE
256Mb: x16, x32
2.5V V
EXT
, 1.8V V
DD
, 1.8V V
DD
Q, RLDRAM
CK/CK#
CMD
WB7
RB0
NOP
RB1
NOP
RB2
NOP
RB3
NOP
RB4
NOP
DQS
DQ
D6d
D6c
Q0b
Q0a
Q0d
Q0c
Q1b
Q1c
Q1a
D7b
D7a
D7d
D7c
tCKDQS
CMD
RB0
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
WB1
NOP
WB2
DQS
DQ
Q5b
Q5a
D1a
D1b
D1c
Q5d
Q5c
Q6b
Q6a
Q6d
Q6c
Q7b
Q7a
Q7d
Q7c
Q0b
Q0a
Q0d
Q0c
tCKDQS
WRITE/READ AND READ/WRITE TIMING, CYCLIC BANK ACCESS
(RL = 5, BL = 4, WL = 1)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT49H8M32 | THERMISTOR PTC 100OHM 120DEG RAD |
| MT49H8M32FM | REDUCED LATENCY DRAM RLDRAM |
| MT4C1M16E5DJ-6 | EDO DRAM |
| MT4LC1M16E5DJ-6S | EDO DRAM |
| MT4LC1M16E5 | EDO DRAM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MT49H16M16FM-33 ES | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:DRAM CHIP RLDRAM 256MBIT 1.8V 144PIN UBGA - Trays |
| MT49H16M16FM-33 TR | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:16MX16 RLDRAM PLASTIC FBGA 1.8V COMMON I/O 8 BANKS 1.8V I/O - Tape and Reel |
| MT49H16M16FM-4 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述: 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:DRAM CHIP RLDRAM 256MBIT 1.8V 144FBGA - Trays |
| MT49H16M16FM-4 ES | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:DRAM CHIP RLDRAM 256MBIT 1.8V 144FBGA - Trays |
| MT49H16M16FM-5 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述: |
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