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参数资料
| 型号： | MT49H16M16FM |
| 厂商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | REDUCED LATENCY DRAM RLDRAM |
| 中文描述： | 低延迟DRAM延迟DRAM |
| 文件页数： | 27/43页 |
| 文件大小： | 652K |
| 代理商： | MT49H16M16FM |
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27
256: x16, x32 RLDRAM
MT49H8M32_3.p65 – Rev. 3, Pub. 6/02
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2002, Micron Technology, Inc.
ADVANCE
256Mb: x16, x32
2.5V V
EXT
, 1.8V V
DD
, 1.8V V
DD
Q, RLDRAM
WRITE TIMING
(BL = 4, RL = 6)
CK/CK#
CS#, AS#, REF#,
A[18:0], BA[2:0],
DM[1:0]
DQ
1
2
3
4
5
6
7
8
9
tRC = 8 tCK
D0b
D0a
WB0
WB1
WB2
WB3
WB0
D0d
D0c
D1b
D1a
D1d
D1c
D2b
D2a
D2d
D2c
D3d
D3c
D3b
D3a
NOTE:
1. DQS and DQS# are not relevant during WRITE cycles.
2. Starting with all banks closed, 4 banks cyclic access.
3. Write latency WL = RL - BL/2 - 2 = 2.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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