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参数资料
| 型号： | S1C17651B00E10C |
| 元件分类： | 微控制器/微处理器 |
| 英文描述： | 16-BIT, FLASH, 2 MHz, RISC MICROCONTROLLER, PBGA |
| 文件页数： | 97/216页 |
| 文件大小： | 1784K |
| 代理商： | S1C17651B00E10C |
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22 ELECTRICAL CHARACTERISTICS
22-10
Seiko Epson Corporation
S1C17651 TECHNICAL MANUAL
Item
Symbol
Condition
Min.
Typ.
Max.
Unit
SVD voltage
VSVD
SVDC[4:0] = 0x1e
Typ.
×
0.96
–
Typ.
×
1.04
V
SVDC[4:0] = 0x1f
–
V
SVD circuit-enable response time *1
tSVDEN
500
s
SVD circuit response time *2
tSVD
60
s
*1 This time is required to obtain stable detection results after SVDEN is altered from 0 to 1.
*2 This time is required to obtain stable detection results after SVDC[4:0] is altered.
SVD circuit current consumption
Unless otherwise specified: VDD = 2.0 to 3.6V, VSS = 0V, Ta = 25°C
Item
Symbol
Condition
Min.
Typ.
Max.
Unit
SVD circuit current *1
ISVD
VDD = 3.6V, SVDC[4:0] = 0xe (2.0V)
12
17
A
*1 This value is added to the current consumption during SLEEP/HALT/execution (with or without heavy load protection mode) when
the SVD circuit is active.
Flash Memory Characteristics
22.10
Unless otherwise specified: VDD = 2.0 to 3.6V, VPP = 7.0V (for programming)/7.5V (for erasing), VSS = 0V, Ta = 10 to 40°C
Item
Symbol
Condition
Min.
Typ.
Max.
Unit
Programming count *1
CFEP
Programmed data is guaranteed to be
retained for 10 years.
3
times
*1 Assumed that Erasing + Programming as count of 1. The count includes programming in the factory.
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PDF描述 |
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