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参数资料
| 型号： | S29JL032J70TFI213 |
| 厂商： | SPANSION LLC |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 2M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PDSO48 |
| 封装： | LEAD FREE, MO-142(D)DD, TSOP-48 |
| 文件页数： | 30/63页 |
| 文件大小： | 1618K |
| 代理商： | S29JL032J70TFI213 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页当前第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页
36
S29JL032J
S29JL032J_00_05 August 24, 2011
Data
She e t
Figure 10.2 Erase Operation
Notes:
1. See Table 10.1 on page 38 for erase command sequence.
2. See DQ3: Sector Erase Timer on page 43 for information on the sector erase timer.
START
Write Erase
Command Sequence
(Notes 1, 2)
Data Poll to Erasing
Bank from System
Data = FFh?
No
Yes
Erasure Completed
Embedded
Erase
algorithm
in progress
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| S29XS064R0PBHW010 | 4M X 16 FLASH 1.8V PROM, 80 ns, PBGA44 |
| S2C3R-1-12-H | 4000 MHz - 12000 MHz RF/MICROWAVE SGL POLE DOUBLE THROW SWITCH, 2 dB INSERTION LOSS |
| S2C5R-1-12-RC | 4000 MHz - 18000 MHz RF/MICROWAVE SGL POLE DOUBLE THROW SWITCH, 2.8 dB INSERTION LOSS |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| S29JL032J70TFI310 | 功能描述:闪存 32MB 闪存 3.0V 70ns Parallel NOR 闪存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| S29JL032J70TFI313 | 制造商:Spansion 功能描述: |
| S29JL032J70TFI320 | 功能描述:闪存 32Mb 3V 70ns Parallel NOR 闪存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| S29JL032J70TFI323 | 功能描述:闪存 32M, 3V, 70ns Parallel NOR 闪存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
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