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参数资料
| 型号： | TC58NS256DC |
| 厂商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS 256-MBIT (32M ?8 BITS) CMOS NAND E2PROM (32M BYTE SmartMediaTM) |
| 中文描述： | 马鞍山暂定东芝数字集成电路硅栅CMOS 256兆位（32M的？8位）的CMOS NAND型E2PROM的（32兆字节SmartMediaTM） |
| 文件页数： | 17/33页 |
| 文件大小： | 709K |
| 代理商： | TC58NS256DC |
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TC58NS256DC
2000-08-27 17/33
Table 3. Command table (HEX)
First Cycle
Second Cycle
Acceptable while Busy
Serial Data Input
80
Read Mode (1)
00
Read Mode (2)
01
Read Mode (3)
50
Reset
FF
c
Auto Program
10
Auto Block Erase
60
D0
Status Read
70
c
ID Read
90
Once the device has been set to Read mode by a 00H, 01H or 50H command, additional Read commands are
not needed for sequential page Read operations. Table 4 shows the operation states for Read mode.
Table 4. Read mode operation states
CLE
ALE
CE
WE
RE
I/O1~I/O8
Power
Output Select
L
L
L
H
L
Data output
Active
Output Deselect
L
L
L
H
H
High impedance
Active
Standby
L
L
H
H
*
High impedance
Standby
H: V
IH
, L: V
IL
,
*
: V
IH
or V
IL
1
0
0
0
0
0
0
0
I/O8 7
6
5
4
3
2 I/O1
Serial data input: 80H
HEX data bit assignment
(Example)
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