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参数资料
| 型号： | TC58NS256DC |
| 厂商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS 256-MBIT (32M ?8 BITS) CMOS NAND E2PROM (32M BYTE SmartMediaTM) |
| 中文描述： | 马鞍山暂定东芝数字集成电路硅栅CMOS 256兆位（32M的？8位）的CMOS NAND型E2PROM的（32兆字节SmartMediaTM） |
| 文件页数： | 3/33页 |
| 文件大小： | 709K |
| 代理商： | TC58NS256DC |
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TC58NS256DC
2000-08-27 3/33
VALID BLOCKS
(1)
SYMBOL
PARAMETER
MIN
TYP.
MAX
UNIT
N
VB
Number of Valid Blocks
2008
2048
Blocks
(1) The TC58NS256 occasionally contains unusable blocks. Refer to Application Note 14 toward the end of this document.
RECOMMENDED DC OPERATING CONDITIONS
SYMBOL
PARAMETER
MIN
TYP.
MAX
UNIT
V
CC
Power Supply Voltage
3
3.3
3.6
V
V
IH
High Level Input Voltage
2
V
CC
+
0.3
V
V
IL
Low Level Input Voltage
0.3
*
0.8
V
*
2 V (pulse width
≤
20 ns)
DC CHARACTERISTICS
(Ta
=
0°~55°C, V
CC
=
3.3 V
±
0.3 V)
SYMBOL
PARAMETER
CONDITION
MIN
TYP.
MAX
UNIT
I
IL
Input Leakage Current
V
IN
=
0 V~V
CC
±
10
μ
A
I
LO
Output Leakage Current
V
OUT
=
0.4 V~V
CC
±
10
μ
A
I
CCO1
Operating Current (Serial Read)
CE
=
V
IL
, I
OUT
=
0 mA,
t
cycle
=
50 ns
10
30
mA
I
CCO3
Operating Current
(Command Input)
t
cycle
=
50 ns
10
30
mA
I
CCO4
Operating Current (Data Input)
t
cycle
=
50 ns
10
30
mA
I
CCO5
Operating Current
(Address Input)
t
cycle
=
50 ns
10
30
mA
I
CCO7
Programming Current
10
30
mA
I
CCO8
Erasing Current
10
30
mA
I
CCS1
Standby Current
CE
=
V
IH
1
mA
I
CCS2
Standby Current
CE
=
V
CC
0.2 V
100
μ
A
V
OH
High Level Output Voltage
I
OH
=
400
μ
A
2.4
V
V
OL
Low Level Output Voltage
I
OL
=
2.1 mA
0.4
V
I
OL
(
BY
/
RY
)
Output Current of
BY
/
RY
Pin
V
OL
=
0.4 V
8
mA
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