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参数资料
| 型号： | TC58NS256DC |
| 厂商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS 256-MBIT (32M ?8 BITS) CMOS NAND E2PROM (32M BYTE SmartMediaTM) |
| 中文描述： | 马鞍山暂定东芝数字集成电路硅栅CMOS 256兆位（32M的？8位）的CMOS NAND型E2PROM的（32兆字节SmartMediaTM） |
| 文件页数： | 27/33页 |
| 文件大小： | 709K |
| 代理商： | TC58NS256DC |
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TC58NS256DC
2000-08-27 27/33
(7)
BY
/
RY
: termination for the Ready/Busy pin (
BY
/
RY
)
A pull-up resistor needs to be used for termination because the
circuit.
BY
/
RY
buffer consists of an open drain
(8)
Status after power-on
The following sequence is necessary because some input signals may not be stable at power-on.
(9)
Power-on/off sequence:
The WP signal is useful for protecting against data corruption at power-on/off. The following timing
sequence is necessary:
This data may vary from device to device.
We recommend that you use this data as a reference
when selecting a resistor value.
V
CC
V
CC
Device
V
SS
R
BY
/
RY
C
L
t
f
Ready
3.0 V
V
CC
1.0 V
t
r
3.0 V
1.0 V
Busy
1.5
μ
s
1.0
μ
s
0.5
μ
s
0
1 K
4 K
3 K
2 K
15 ns
10 ns
5 ns
t
f
t
r
R
t
r
t
f
V
CC
=
3.3 V
Ta
=
25
°
C
C
L
=
100 pF
Figure 19.
FF
Reset
Power on
Figure 20.
V
IL
Operation
0 V
V
CC
3.0 V
2.8 V
V
IL
Don
’
t
care
Don
’
t
care
Figure 21. Power-on/off Sequence
V
IH
CE
, WE , RE
CLE, ALE
WP
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