参数资料
| 型号： | ISL6324IRZ-T |
| 厂商： | Intersil |
| 文件页数： | 6/38页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC HYBRID CTRLR PWM DUAL 48-QFN |
| 标准包装： | 4,000 |
| 应用： | 控制器，AMD SVI |
| 输入电压： | 5 V ~ 12 V |
| 输出数： | 2 |
| 输出电压： | 最高 2V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 48-VFQFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 48-QFN（7x7） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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ISL6324
Absolute Maximum Ratings
Thermal Information
Supply Voltage (VCC) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -0.3V to +6V
Thermal Resistance
θ JA (°C/W)
θ JC (°C/W)
Supply Voltage (PVCC) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -0.3V to +15V
Absolute Boot Voltage (V BOOT ). . . . . . . . GND - 0.3V to GND + 36V
Phase Voltage (V PHASE ) . . . . . . . . GND - 0.3V to 15V (PVCC = 12)
GND - 8V (<400ns, 20μJ) to 24V (<200ns, V BOOT-PHASE = 12V)
Upper Gate Voltage (V UGATE ). . . . V PHASE - 0.3V to V BOOT + 0.3V
V PHASE - 3.5V (<100ns Pulse Width, 2μJ) to V BOOT + 0.3V
Lower Gate Voltage (V LGATE ) . . . . . . . GND - 0.3V to PVCC + 0.3V
GND - 5V (<100ns Pulse Width, 2μJ) to PVCC+ 0.3V
Input, Output, or I/O Voltage . . . . . . . . . GND - 0.3V to VCC + 0.3V
QFN Package (Notes 1, 2) . . . . . . . . . . 30 2
Maximum Junction Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C
Maximum Storage Temperature Range . . . . . . . . . .-65°C to +150°C
Pb-free reflow profile . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .see link below
Recommended Operating Conditions
VCC Supply Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .+5V ±5%
PVCC Supply Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +5V to 12V ±5%
Ambient Temperature
ISL6324CRZ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0°C to +70°C
ISL6324IRZ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .-40°C to +85°C
CAUTION: Do not operate at or near the maximum ratings listed for extended periods of time. Exposure to such conditions may adversely impact product reliability and
result in failures not covered by warranty.
NOTES:
1. θ JA is measured in free air with the component mounted on a high effective thermal conductivity test board with “direct attach” features. See
Tech Brief TB379.
2. For θ JC , the “case temp” location is the center of the exposed metal pad on the package underside.
3. Limits should be considered typical and are not production tested.
Electrical Specifications
Recommended Operating Conditions (0°C to +70°C), Unless Otherwise Specified. Parameters with MIN and/or
MAX limits are 100% tested at +25°C, unless otherwise specified. Temperature limits established by
characterization and are not production tested.
PARAMETER
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
BIAS SUPPLIES
Input Bias Supply Current
Gate Drive Bias Current - PVCC1_2 Pin
Gate Drive Bias Current - PVCC_NB Pin
VCC POR (Power-On Reset) Threshold
PVCC POR (Power-On Reset) Threshold
I VCC ; EN = high
I PVCC1_2 ; EN = high
I PVCC_NB ; EN = high
VCC Rising
VCC Falling
PVCC Rising
PVCC Falling
15
1
0.3
4.20
3.70
4.20
3.70
22
1.8
0.9
4.40
3.90
4.40
3.90
30
3
2
4.55
4.10
4.55
4.10
mA
mA
mA
V
V
V
V
PWM MODULATOR
Oscillator Frequency Accuracy, f SW
R T = 100k Ω (±0.1%) to Ground, T A = +25°C
225
250
275
kHz
(Droop Enabled)
R T = 100k Ω (±0.1%) to VCC, T A = +25°C
240
270
300
kHz
(Droop Disabled)
Typical Adjustment Range of Switching Frequency
Oscillator Ramp Amplitude, V P-P
Maximum Duty Cycle
(Note 3)
(Note 3)
(Note 3)
0.08
1.50
99.5
1.0
MHz
V
%
CONTROL THRESHOLDS
EN Rising Threshold
EN Hysteresis
PWROK Input HIGH Threshold
PWROK Input LOW Threshold
0.80
70
0.88
130
1.1
0.95
0.92
190
V
mV
V
V
VDDPWRGD Sink Current
PWM Channel Disable Threshold
Open drain, V_VDDPWRGD = 400mV
V ISEN3- , V ISEN4-
4.4
4
mA
V
6
FN6518.2
September 25, 2008
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