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参数资料
| 型号： | MT46V4M32 |
| 厂商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | DOUBLE DATA RATE DDR SDRAM |
| 中文描述： | 双倍数据速率的DDR SDRAM内存 |
| 文件页数： | 19/66页 |
| 文件大小： | 1921K |
| 代理商： | MT46V4M32 |
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19
128Mb: x32 DDR SDRAM
4M32DDR_B.p65 – Rev. B, Pub. 7/02
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2002, Micron Technology, Inc.
128Mb: x32
DDR SDRAM
ADVANCE
Figure 10
Random READ Accesses
CK
CK#
COMMAND
READ
READ
READ
NOP
NOP
ADDRESS
Bank,
Col
n
Bank,
Col
x
Bank,
Col
b
Bank,
Col
x
Bank,
Col
b
READ
Bank,
Col
g
COMMAND
ADDRESS
CL = 2
CK
CK#
DQ
DQS
CL = 3
DQ
DQS
DO
n
DO
x’
DO
g
DO
n’
DO
b
DO
x
DO
b’
DO
n
DO
x’
DO
n’
DO
b
DO
x
DO
b’
T0
T1
T2
T3
T2n
T3n
T4
T5
T4n
T5n
NOTE
: 1. DO
n
(or
x
or
b
or
g
) = data-out from column
n
(or column x or column
b
or column
g
).
2. Burst length = 2 or 4 or 8 (if 4 or 8, the following burst interrupts the previous).
3.
n
’ or
x
’ or
b
’ or
g
’ indicates the next data-out following DO
n
or DO
x
or DO
b
or DO
g
, respectively
.
4. READs are to an active row in any bank
.
5. Shown with nominal
t
AC,
t
DQSCK, and
t
DQSQ.
READ
READ
READ
NOP
NOP
Bank,
Col
n
READ
Bank,
Col
g
T0
T1
T2
T3
T3n
T4
T5
T4n
T5n
DON T CARE
TRANSITIONING DATA
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT46V4M32LG | I.MX31 LITE KIT |
| MT46V64M4 | 16 Meg x 4 x 4 banks DDR SDRAM(16M x 4 x 4组,双数据速率同步动态RAM) |
| MT46V64M8 | 16 Meg x 8 x 4 banks DDR SDRAM(16M x 8 x 4组,双数据速率同步动态RAM) |
| MT48LC16M8A1TG | SYNCHRONOUS DRAM |
| MT48LC32M4A1 | ECONOLINE: RSZ/P - 1kVDC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MT46V4M32LG | 制造商:MICRON 制造商全称:Micron Technology 功能描述:DOUBLE DATA RATE DDR SDRAM |
| MT46V64M16 | 制造商:MICRON 制造商全称:Micron Technology 功能描述:DOUBLE DATA RATE (DDR) SDRAM |
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