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参数资料
| 型号： | MT46V4M32 |
| 厂商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | DOUBLE DATA RATE DDR SDRAM |
| 中文描述： | 双倍数据速率的DDR SDRAM内存 |
| 文件页数： | 61/66页 |
| 文件大小： | 1921K |
| 代理商： | MT46V4M32 |
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61
128Mb: x32 DDR SDRAM
4M32DDR_B.p65 – Rev. B, Pub. 7/02
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2002, Micron Technology, Inc.
128Mb: x32
DDR SDRAM
ADVANCE
BANK READ – WITH AUTO PRECHARGE
CK
CK#
CKE
A8
BA0, BA1
t
CK
t
CH
t
CL
t
IS
t
IS
t
IH
t
IS
t
IS
t
IH
t
IH
t
IH
IS
IH
RA
t
RCD
t
RC
t
RP
CL = 2
DM
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T5n
T6n
T6
T7
T8
DQ
1
DQS
Case 1:
t
AC
(MIN)
and
t
DQSCK
(MIN)
Case 2:
t
AC
(MAX)
and
t
DQSCK
(MAX)
DQ
1
DQS
t
RPRE
t
RPRE
t
RPST
t
RPST
t
DQSCK
(MIN)
t
DQSCK
(MAX)
t
LZ
(MIN)
t
LZ
(MAX)
t
AC
(MIN)
t
LZ
(MIN)
DO
n
t
HZ
(MAX)
t
AC
(MAX)
t
LZ
(MAX)
DO
n
NOP5
NOP5
COMMAND
4
3
ACT
RA
RA
Col
n
READ2,6
NOP5
Bank
x
RA
RA
RA
Bank
x
ACT
Bank
x
NOP5
NOP5
NOP5
t
HZ
(MIN)
NOTE:
1. DO
n
= data-out from column
n;
subsequent elements are provided in the programmed order.
2. Burst length = 4 in the case shown.
3. Enable auto precharge.
4. ACT = ACTIVE, RA = Row Address, BA = Bank Address.
5. NOP commands are shown for ease of illustration; other commands may be valid at these times.
6. The READ command can only be applied at T3 if
t
RAS minimum is met by T5.
DON’T CARE
TRANSITIONING DATA
A0-A7
A9-A11
t
RAS6
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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