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参数资料
| 型号： | MT48H8M16LFB4-75:K TR |
| 厂商： | Micron Technology Inc |
| 文件页数： | 59/63页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SDRAM 128MBIT 133MHZ 54VFBGA |
| 标准包装： | 1 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | 移动 SDRAM |
| 存储容量： | 128M（8Mx16） |
| 速度： | 133MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.7 V ~ 1.95 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 54-VFBGA |
| 供应商设备封装： | 54-VFBGA（8x8） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 557-1531-6 |
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128Mb: x16 Mobile SDRAM
Timing Diagrams
Figure 45:
Single WRITE – Without Auto Precharge
CLK
T0
tCKS
tCKH
tCK
T1
tCL
T2
tCH
T3
T4
T5
T6
T7
T8
CKE
tCMS
tCMH
COMMAND
ACTIVE
NOP
WRITE
NOP 4
NOP 4
PRECHARGE
NOP
ACTIVE
NOP
tCMS tCMH
DQM
tA S
tAH
A0–A9, A11
ROW
COLUMN m 3
tA S
tAH
ALL BANKS
A10
ROW
ROW
tA S
tAH
DISABLE AUTO PRECHARGE
SINGLE BANK
BA0, BA1
BANK
BANK
BANK
BANK
DQ
t DS
tDH
D IN m
tRCD
t WR 2
tRP
tRAS
tRC
DON’T CARE
Notes:
1.
2.
3.
4.
For this example, BL = 1, and the WRITE burst is followed by a “manual” PRECHARGE.
15ns is required between <D IN m > and the PRECHARGE command, regardless of frequency.
A9 and A11 are “Don’t Care.”
PRECHARGE command not allowed or t RAS would be violated.
PDF: 09005aef8237e877/Source: 09005aef8237e8d8
128Mb_x16 Mobile SDRAM_Y25M_2.fm - Rev. C 2/07 EN
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| MT48H8M16LFB4-8 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC SDRAM 128MBIT 125MHZ 54VFBGA |
| MT48H8M16LFB4-8 IT | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC SDRAM 128MBIT 125MHZ 54VFBGA |
| MT48H8M16LFB4-8 IT TR | 功能描述:IC SDRAM 128MBIT 125MHZ 54VFBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:96 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:FLASH 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:70ns 接口:并联 电源电压:2.65 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 |
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