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参数资料
| 型号： | MT48H8M16LFB4-75:K TR |
| 厂商： | Micron Technology Inc |
| 文件页数： | 6/63页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SDRAM 128MBIT 133MHZ 54VFBGA |
| 标准包装： | 1 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | 移动 SDRAM |
| 存储容量： | 128M（8Mx16） |
| 速度： | 133MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.7 V ~ 1.95 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 54-VFBGA |
| 供应商设备封装： | 54-VFBGA（8x8） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 557-1531-6 |
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128Mb: x16 Mobile SDRAM
General Description
SDRAMs offer substantial advances in DRAM operating performance, including the
ability to synchronously burst data at a high data rate with automatic column-address
generation, the ability to interleave between internal banks in order to hide precharge
time and the capability to randomly change column addresses on each clock cycle
during a burst access.
Figure 3:
8 Meg x 16 SDRAM Functional Block Diagram
BA1
0
0
1
BA0
0
1
0
Bank
0
1
2
CKE
1
1
3
CLK
CS#
WE#
CONTROL
LOGIC
CAS#
RAS#
BANK1
BANK2
BANK3
MODE REGISTER
REFRESH 12
COUNTER
ROW-
ADDRESS
12
BANK0
ROW-
BANK0
12
12
MUX
ADDRESS
LATCH
&
4096
MEMORY
ARRAY
(4,096 x 512 x 16)
2
2
LDQM,
UDQM
DECODER
SENSE AMPLIFIERS
4096
16
DATA
OUTPUT
REGISTER
2
I/O GATING
DQM MASK LOGIC
16
DQ0–
DQ15
A0–A11,
BA0, BA1
14
ADDRESS
REGISTER
2
BANK
CONTROL
LOGIC
READ DATA LATCH
WRITE DRIVERS
16
DATA
INPUT
COLUMN-
512
(x16)
COLUMN
DECODER
REGISTER
9
ADDRESS
COUNTER/
LATCH
9
PDF: 09005aef8237e877/Source: 09005aef8237e8d8
128Mb_x16 Mobile SDRAM_Y25M_2.fm - Rev. C 2/07 EN
6
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参数描述 |
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