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参数资料
| 型号： | TMDXBDKFP5515 |
| 厂商： | Texas Instruments |
| 文件页数： | 23/159页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | KIT DEV FINGERPRINT C5515 |
| 标准包装： | 1 |
| 传感器类型： | 指纹 |
| 接口： | USB |
| 电源电压： | 5V |
| 嵌入式： | 是，MCU，16 位 |
| 已供物品： | 板，扩展板，线缆，迷你型 DVD，传感器 |
| 已用 IC / 零件： | C5515 |
| 产品目录页面： | 718 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 296-27452 |
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SPRS645F – AUGUST 2010 – REVISED OCTOBER 2013
Table 2-8. External Memory Interface (EMIF) Terminal Functions (continued)
SIGNAL
NAME
NO.
TYPE (1)
(2)
OTHER (3)
(4)
DESCRIPTION
EMIF NAND chip select 2 output for use with asynchronous memories (i.e., NOR
EM_CS2
C5
O/Z
DV DDEMIF
BH
flash, NAND flash, or SRAM).
Note: This pin may consume static power if configured as Hi-Z and not pulled high
or low. Prevent current drain by externally terminating the pin.
EMIF asynchronous memory write enable output
EM_WE
H1
O/Z
DV DDEMIF
BH
Note: This pin may consume static power if configured as Hi-Z and not pulled high
or low. Prevent current drain by externally terminating the pin.
EMIF asynchronous memory read enable output
EM_OE
E4
O/Z
DV DDEMIF
BH
Note: This pin may consume static power if configured as Hi-Z and not pulled high
or low. Prevent current drain by externally terminating the pin.
EMIF asynchronous read/write output
EM_R/W
B6
O/Z
DV DDEMIF
BH
Note: This pin may consume static power if configured as Hi-Z and not pulled high
or low. Prevent current drain by externally terminating the pin.
EM_DQM1
EM_DQM0
EM_BA[1]
P1
B5
B1
O/Z
O/Z
O/Z
DV DDEMIF
BH
DV DDEMIF
BH
DV DDEMIF
BH
EMIF asynchronous data write strobes and byte enables or EMIF SDRAM and
mSDRAM data mask bits.
Note: These pins may consume static power if configured as Hi-Z and not pulled
high or low. Prevent current drain by externally terminating the pins.
EMIF asynchronous bank address
16-bit wide memory: EM_BA[1] forms the device address[0] and BA[0] forms device
address [23].
8-bit wide memory: EM_BA[1] forms the device address[1] and BA[0] forms device
EM_BA[0]
A1
O/Z
DV DDEMIF
BH
address [0].
EMIF SDRAM and mSDRAM bank address.
Note: These pins may consume static power if configured as Hi-Z and not pulled
high or low. Prevent current drain by externally terminating the pins.
EMIF wait state extension input 5 for EM_CS5
EM_WAIT5
H4
I
DV DDEMIF
BH
Note: This pin may consume static power through the input buffer if not externally
driven. Prevent current drain by externally terminating the pin.
EMIF wait state extension input 4 for EM_CS4
EM_WAIT4
G1
I
DV DDEMIF
BH
Note: This pin may consume static power through the input buffer if not externally
driven. Prevent current drain by externally terminating the pin.
EMIF wait state extension input 3 for EM_CS3
EM_WAIT3
K6
I
DV DDEMIF
BH
Note: This pin may consume static power through the input buffer if not externally
driven. Prevent current drain by externally terminating the pin.
EMIF wait state extension input 2 for EM_CS2
EM_WAIT2
D5
I
DV DDEMIF
BH
Note: This pin may consume static power through the input buffer if not externally
driven. Prevent current drain by externally terminating the pin.
Copyright ? 2010–2013, Texas Instruments Incorporated
Product Folder Links: TMS320C5515
Device Overview
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PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| TMDXBDKFP5515 | 制造商:Texas Instruments 功能描述:; Silicon Manufacturer:Texas Instruments 制造商:Texas Instruments 功能描述:TMS320C5515, FINGERPRINT SENSOR, DEV KIT |
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