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参数资料
| 型号： | TMDXBDKFP5515 |
| 厂商： | Texas Instruments |
| 文件页数： | 71/159页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | KIT DEV FINGERPRINT C5515 |
| 标准包装： | 1 |
| 传感器类型： | 指纹 |
| 接口： | USB |
| 电源电压： | 5V |
| 嵌入式： | 是，MCU，16 位 |
| 已供物品： | 板，扩展板，线缆，迷你型 DVD，传感器 |
| 已用 IC / 零件： | C5515 |
| 产品目录页面： | 718 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 296-27452 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页当前第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页第118页第119页第120页第121页第122页第123页第124页第125页第126页第127页第128页第129页第130页第131页第132页第133页第134页第135页第136页第137页第138页第139页第140页第141页第142页第143页第144页第145页第146页第147页第148页第149页第150页第151页第152页第153页第154页第155页第156页第157页第158页第159页
SPRS645F – AUGUST 2010 – REVISED OCTOBER 2013
Electrical Characteristics Over Recommended Ranges of Supply Voltage and Operating Temperature
(Unless Otherwise Noted) (continued)
PARAMETER
TEST CONDITIONS
(1)
MIN
TYP
MAX
UNIT
Active, CV DD = 1.3 V, DSP clock = 100 or 120 MHz,
Clock source = RTC on-chip Oscillator
Room Temp (25 °C), 75% DMAC + 25% ADD
(typical sine wave data switching)
Active, CV DD = 1.05 V, DSP clock = 60 or 75 MHz,
Clock source = RTC on-chip Oscillator
Room Temp (25 °C), 75% DMAC + 25% ADD
(typical data switching)
Active, CV DD = 1.3 V, DSP clock = 100 or 120 MHz,
Clock source = RTC on-chip Oscillator
Room Temp (25 °C), 75% DMAC + 25% NOP
(typical sine wave data switching)
Active, CV DD = 1.05 V, DSP clock = 60 or 75 MHz,
Clock source = RTC on-chip Oscillator
Room Temp (25 °C), 75% DMAC + 25% NOP
(typical data switching)
Standby, CV DD = 1.3 V, Master clock disabled, Clock
source = RTC on-chip Oscillator
Room Temp (25 °C), DARAM and SARAM in active
0.22
0.15
0.22
0.14
0.44
mW/MHz
mW/MHz
mW/MHz
mW/MHz
mW
P
Core (CV DD ) supply power (12)
mode
Standby, CV DD = 1.05 V, Master clock disabled, Clock
source = RTC on-chip Oscillator
Room Temp (25 °C), DARAM and SARAM in active
mode
Standby, CV DD = 1.3 V, Master clock disabled, Clock
source = RTC on-chip Oscillator
Room Temp (25 °C), DARAM in retention and
SARAM in active mode
Standby, CV DD = 1.05 V, Master clock disabled, Clock
source = RTC on-chip Oscillator
Room Temp (25 °C), DARAM in retention and
SARAM in active mode
Standby, CV DD = 1.3 V, Master clock disabled, Clock
source = RTC on-chip Oscillator
Room Temp (25 °C), DARAM in active mode and
SARAM in retention
Standby, CV DD = 1.05 V, Master clock disabled, Clock
source = RTC on-chip Oscillator
Room Temp (25 °C), DARAM in active mode and
SARAM in retention
0.26
0.40
0.23
0.28
0.15
mW
mW
mW
mW
mW
I
Analog PLL (V DDA_PLL ) supply
current
SAR Analog (V DDA_ANA ) supply
current
V DDA_PLL = 1.3 V
Room Temp (25 °C), Phase detector = 170 kHz,
VCO = 120 MHz
V DDA_ANA = 1.3 V, SAR clock = 2 MHz, Temp
(70 °C)
0.7
1
mA
mA
C I
C o
Input capacitance
Output capacitance
4
4
pF
pF
(12) Measured under the following conditions:
?
?
At room temperature using units representative of a typical process.
I/O pins are properly terminated.
The actual current draw varies across manufacturing processes and is highly application-dependent.
For more details on core and I/O activity, as well as information relevant to board power supply design,
see Estimating Power Consumption on the TMS320C5504/05/14/15/32/33/34/35 DSPs (literature number SPRABM0 ).
Copyright ? 2010–2013, Texas Instruments Incorporated
Product Folder Links: TMS320C5515
Device Operating Conditions
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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