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参数资料
| 型号： | V58C2256324SAH-40 |
| 厂商： | PROMOS TECHNOLOGIES INC |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 32 DDR DRAM, 0.6 ns, PBGA144 |
| 封装： | LEAD FREE, BGA-144 |
| 文件页数： | 16/37页 |
| 文件大小： | 557K |
| 代理商： | V58C2256324SAH-40 |
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23
V58C2256324SA Rev. 1.0 November 2003
ProMOS TECHNOLOGIES
V58C2256324SA
WriteInterruptedbyaPrecharge
ABurstWriteoperationcanbeinterruptedbeforecompletionoftheburstbyaPrechargeofthesamebank.Randomcolumnaccessis
allowed.AWriteRecoverytime(t WR)isrequiredfromthelastdatatoPrechargecommand.WhenPrechargecommandisasserted,
anyresidualdatafromtheburstwritecyclemustbemaskedbyDMx.
WriteinterruptedbyPrecharge
D-in
2
CLK
Write
bankA
DQSx
DQx
D-in
0
Command
t
WR
DMx
NOP
PRE
Write
bankB
NOP
D-in
1
D-in
3
t
DQSS
NOP
D-in
0
D-in
1
Lastvalid
data
Datamustbe
masked
Dataismasked
byPrecharge
Burstlength=8
t
DQSS
D-in
4
D-in
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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