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参数资料
| 型号： | V58C2256324SAH-40 |
| 厂商： | PROMOS TECHNOLOGIES INC |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 32 DDR DRAM, 0.6 ns, PBGA144 |
| 封装： | LEAD FREE, BGA-144 |
| 文件页数： | 3/37页 |
| 文件大小： | 557K |
| 代理商： | V58C2256324SAH-40 |
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11
V58C2256324SA Rev. 1.0 November 2003
ProMOS TECHNOLOGIES
V58C2256324SA
BankActivationCommand(ACT)
TheBankActivationcommandisinitiatedbyissuinganACTcommandattherisingedgeoftheclock.TheDDRSDRAMhasfour
independentbankswhichareselectedbythetwoBankselectAddresses(BA0,BA1).TheBankActivationcommandmustbeapplied
beforeanyReadorWriteoperationcanbeexecuted.ThedelayfromtheBankActivationcommandtothefirstreadorwritecommand
mustmeetorexceedtheminimumofRAStoCASdelaytime(tRCDRDmin.forreadcommandsandtRCDWRmin.forwritecommands).
Onceabankhasbeenactivated,itmustbeprechargedbeforeanotherBankActivatecommandcanbeappliedtothesamebank.The
minimumtimeintervalbetweeninterleavedBankActivatecommands(BankAtoBankBandviceversa)istheBanktoBankactivation
delaytime(tRRDmin).
ActivatetoReadorWriteCommandTiming(onebank)
ActivateBankAtoActivateBankBTiming
Clk
Command
tRCDWRforwrite
BankA
ACT
tRCDRDforread
tRC
Addresses
RowAdd.
READ
WRITE
or
BankA
Col.Add.
BankA
PRE
NOP
ACT
BankA
RowAdd.
Clk
Command
BankA
ACT
tRRD
Addresses
RowAdd.
NOP
ACT
BankB
RowAdd.
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