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参数资料
| 型号： | W949D2CBJX5E |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 16M X 32 DDR DRAM, 5 ns, PBGA90 |
| 封装： | 8 X 13 MM, 0.80 MM PITCH, HALOGEN FREE AND LEAD FREE, VFBGA-90 |
| 文件页数： | 3/60页 |
| 文件大小： | 1160K |
| 代理商： | W949D2CBJX5E |
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W949D6CB / W949D2CB
512Mb Mobile LPDDR
Publication Release Date: Jun, 14, 2011
- 11 -
Revision A01-006
6.1.1 Initialization Flow Diagram
1
VDD and VDDQ Ramp: CKE must be held high
2
Apply stable clocks
3
Wait at least 200us with NOP or DESELECT on command bus
4
PRECHARGE ALL
5
Assert NOP or DESELCT for
tRP time
6
Issue two AUTO REFRESH commands each followed by
NOP or DESELECT commands for
tRFC time
7
Configure Mode Register
8
Assert NOP or DESELECT for
tMRD time
9
Configure Extended Mode Register
10
Assert NOP or DESELECT for
tMRD time
11
LPDDR SDRAM is ready for any valid command
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| WF128K32N-150HC5 | 512K X 8 FLASH 5V PROM MODULE, 150 ns, HIP66 |
| WPS512K8LB-85GM | 512K X 8 STANDARD SRAM, 85 ns, PDSO32 |
| WPS128K32GV-17PJI | 512K X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 17 ns, PQMA68 |
| WF2M32B-150HM5 | 8M X 8 FLASH 5V PROM MODULE, 150 ns, CHIP66 |
| WF2M32B-120G2UC5 | 8M X 8 FLASH 5V PROM MODULE, 120 ns, CQFP68 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| W949D2CBJX5ETR | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:512M MDDR, X32, 200MHZ |
| W949D2CBJX5I | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:DRAM Chip Mobile LPDDR SDRAM 512M-Bit 16Mx32 1.8V 90-Pin VFBGA |
| W949D2CBJX5I TR | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:512M MDDR, X32, 200MHZ, INDUST |
| W949D2CBJX6E | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:DRAM Chip Mobile LPDDR SDRAM 512M-Bit 16Mx32 1.8V 90-Pin VFBGA |
| W949D2CBJX6ETR | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:512M MDDR, X32, 166MHZ, 65NM |
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