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参数资料
| 型号： | W949D2CBJX5E |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 16M X 32 DDR DRAM, 5 ns, PBGA90 |
| 封装： | 8 X 13 MM, 0.80 MM PITCH, HALOGEN FREE AND LEAD FREE, VFBGA-90 |
| 文件页数： | 41/60页 |
| 文件大小： | 1160K |
| 代理商： | W949D2CBJX5E |
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W949D6CB / W949D2CB
512Mb Mobile LPDDR
Publication Release Date: Jun, 14, 2011
- 46 -
Revision A01-006
8. ELECTRICAL CHARACTERISTIC
8.1 Absolute Maximum Ratings
PARAMETER
SYMBOL
VALUES
UNITS
MIN
MAX
Voltage on VDD relative to VSS
VDD
0.3
2.7
V
Voltage on VDDQ relative to VSS
VDDQ
0.3
2.7
V
Voltage on any pin relative to VSS
VIN, VOUT
0.3
2.7
V
Operation Case Temperature
Tc
-25
-40
85
°C
Storage Temperature
TSTG
55
150
°C
Short Circuit Output Current
IOUT
±50
mA
Power Dissipation
PD
1.0
W
8.2 Input/Output Capacitance
PARAMETER
SYMBOL
MIN
MAX
UNITS
NOTES
Input capacitance, CK,
CK
CCK
1.5
3.0
pF
Input capacitance delta, CK, CK
CDCK
0.25
pF
Input capacitance, all other input-only pins
CI
1.5
3.0
pF
Input capacitance delta, all other input-only pins
CDI
0.5
pF
Input/ output capacitance, DQ,DM,DQS
CIO
3.0
5.0
pF
3
Input/output capacitance delta, DQ, DM, DQS
CDIO
0.50
pF
3
Notes:
1.
These values are guaranteed by design.
2.
These capacitance values are for package with single monolithic devices only. Multiple die packages will have parallel capacitive loads.
3.
Although DM is an input-only pin, the input capacitance of this pin must model the input capacitance of the DQ and DQS pins. This is
required to match signal propagation times of DQ, DQS and DM in the system.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| WF128K32N-150HC5 | 512K X 8 FLASH 5V PROM MODULE, 150 ns, HIP66 |
| WPS512K8LB-85GM | 512K X 8 STANDARD SRAM, 85 ns, PDSO32 |
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| WF2M32B-150HM5 | 8M X 8 FLASH 5V PROM MODULE, 150 ns, CHIP66 |
| WF2M32B-120G2UC5 | 8M X 8 FLASH 5V PROM MODULE, 120 ns, CQFP68 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| W949D2CBJX5ETR | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:512M MDDR, X32, 200MHZ |
| W949D2CBJX5I | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:DRAM Chip Mobile LPDDR SDRAM 512M-Bit 16Mx32 1.8V 90-Pin VFBGA |
| W949D2CBJX5I TR | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:512M MDDR, X32, 200MHZ, INDUST |
| W949D2CBJX6E | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:DRAM Chip Mobile LPDDR SDRAM 512M-Bit 16Mx32 1.8V 90-Pin VFBGA |
| W949D2CBJX6ETR | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:512M MDDR, X32, 166MHZ, 65NM |
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