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参数资料
| 型号： | W949D2CBJX5E |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 16M X 32 DDR DRAM, 5 ns, PBGA90 |
| 封装： | 8 X 13 MM, 0.80 MM PITCH, HALOGEN FREE AND LEAD FREE, VFBGA-90 |
| 文件页数： | 42/60页 |
| 文件大小： | 1160K |
| 代理商： | W949D2CBJX5E |
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W949D6CB / W949D2CB
512Mb Mobile LPDDR
Publication Release Date: Jun, 14, 2011
- 47 -
Revision A01-006
8.3 Electrical Characteristics and AC/DC Operating Conditions
All values are recommended operating conditions unless otherwise noted.
8.3.1 Electrical Characteristics and AC/DC Operating Conditions
PARAMETER/CONDITION
SYMBOL
MIN
MAX
UNITS
NOTES
Supply Voltage
VDD
1.70
1.95
V
I/O Supply Voltage
VDDQ
1.70
1.95
V
ADDRESS AND COMMAND INPUTS (A0~An, BA0,BA1,CKE,
CS , RAS , CAS , WE )
Input High Voltage
VIH
0.8*VDDQ
VDDQ + 0.3
V
Input Low Voltage
VIL
0.3
0.2*VDDQ
V
CLOCK INPUTS (CK, CK )
DC Input Voltage
VIN
0.3
VDDQ + 0.3
V
DC Input Differential Voltage
VID (DC)
0.4*VDDQ
VDDQ + 0.6
V
2
AC Input Differential Voltage
VID (AC)
0.6*VDDQ
VDDQ + 0.6
V
2
AC Differential Crossing Voltage
VIX
0.4*VDDQ
0.6*VDDQ
V
3
DATA INPUTS (DQ, DM, DQS)
DC Input High Voltage
VIHD (DC)
0.7*VDDQ
VDDQ + 0.3
V
DC Input Low Voltage
VILD (DC)
0.3
0.3*VDDQ
V
AC Input High Voltage
VIHD (AC)
0.8*VDDQ
VDDQ + 0.3
V
AC Input Low Voltage
VILD (AC)
0.3
0.2*VDDQ
V
DATA OUTPUTS (DQ, DQS)
DC Output High Voltage (IOH=0.1mA)
VOH
0.9*VDDQ
-
V
DC Output Low Voltage (IOL=0.1mA)
VOL
-
0.1*VDDQ
V
Leakage Current
Input Leakage Current
IiL
-1
1
uA
Output Leakage Current
IoL
-5
5
uA
Notes:
1. All voltages referenced to VSS and VSSQ must be same potential.
2. VID (DC) and VID (AC) are the magnitude of the difference between the input level on CK and CK .
3. The value of VIX is expected to be 0.5*VDDQ and must track variations in the DC level of the same.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| WF128K32N-150HC5 | 512K X 8 FLASH 5V PROM MODULE, 150 ns, HIP66 |
| WPS512K8LB-85GM | 512K X 8 STANDARD SRAM, 85 ns, PDSO32 |
| WPS128K32GV-17PJI | 512K X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 17 ns, PQMA68 |
| WF2M32B-150HM5 | 8M X 8 FLASH 5V PROM MODULE, 150 ns, CHIP66 |
| WF2M32B-120G2UC5 | 8M X 8 FLASH 5V PROM MODULE, 120 ns, CQFP68 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| W949D2CBJX5ETR | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:512M MDDR, X32, 200MHZ |
| W949D2CBJX5I | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:DRAM Chip Mobile LPDDR SDRAM 512M-Bit 16Mx32 1.8V 90-Pin VFBGA |
| W949D2CBJX5I TR | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:512M MDDR, X32, 200MHZ, INDUST |
| W949D2CBJX6E | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:DRAM Chip Mobile LPDDR SDRAM 512M-Bit 16Mx32 1.8V 90-Pin VFBGA |
| W949D2CBJX6ETR | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:512M MDDR, X32, 166MHZ, 65NM |
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