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参数资料
| 型号： | W949D2CBJX6G |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 16M X 32 DDR DRAM, 5 ns, PBGA90 |
| 封装： | 8 X 13 MM, 0.80 MM PITCH, HALOGEN FREE AND LEAD FREE, VFBGA-90 |
| 文件页数： | 24/60页 |
| 文件大小： | 1160K |
| 代理商： | W949D2CBJX6G |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页当前第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页
W949D6CB / W949D2CB
512Mb Mobile LPDDR
Publication Release Date: Jun, 14, 2011
- 30 -
Revision A01-006
7.5.5 Consecutive Read Bursts
CL=2
DO n
= Don't Care
BA,Coln
READ
NOP
READ
NOP
CK
Command
Address
DQS
DQ
DQS
DQ
1) DO n (or b)=Data Out from column n (or column b)
2) Burst Length=4,8 or 16 (if 4, the bursts are concatenated; if 8 or 16, the second burst interrupts the first)
3) Read bursts are to an active row in the bank
4) Shown with nominal tAC, tDQSCK and tDQSQ
BA,Colb
CL=3
DO b
7.5.6 Non-Consecutive Read Bursts
A READ command can be initiated on any clock cycle following a previous READ command. Non-consecutive
Reads are shown in following figure.
CL=2
DO n
= Don't Care
BA,Col n
READ
NOP
READ
NOP
CK
Command
Address
DQS
DQ
DQS
DQ
1) DO n (or b) =Data Out from column n (or column b)
2) BA,Col n (b) =Bank A,Column n (b)
3) Burst Length=4; 3 subsequent elements of Data Out appear in the programmed order following DO n (b)
4) Shown with nominal tAC, tDQSCK and tDQSQ
DO b
CL=3
BA,Col b
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