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参数资料
| 型号： | W949D2CBJX6G |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 16M X 32 DDR DRAM, 5 ns, PBGA90 |
| 封装： | 8 X 13 MM, 0.80 MM PITCH, HALOGEN FREE AND LEAD FREE, VFBGA-90 |
| 文件页数： | 54/60页 |
| 文件大小： | 1160K |
| 代理商： | W949D2CBJX6G |
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W949D6CB / W949D2CB
512Mb Mobile LPDDR
Publication Release Date: Jun, 14, 2011
- 58 -
Revision A01-006
10. ORDERING INFORMATION
W 9 4 9 D 6 C B H X 5 I
Mobile LPDDR/LPSDR SDRAM Package Part Numbering
Product Line
98:mobile LPSDR SDRAM
94:mobile LPDDR SDRAM
Density
7:27=128M 8:28=256M
9:29=512M
Power Supply
D:1.8/1.8 VDD / VDDQ
I/O Ports width
6:16bit
2:32bit
Temperature
with standard Idd6
G:-25C~85C
Package Material
X: Lead-free + Halogen-free
Package or KGD
K: KGD
B: BGA
Package configuration code
G: 54VFBGA, 8mmx9mm
H: 60VFBGA, 8mmx9mm
J: 90VFBGA, 8mmx13mm
Generation
Design revision.
with low power Idd6
E:-25C~85C
I:-40C~85C
Clock rate
5:5ns200MHz
6:6ns166MHz
7:7.5ns133MHz
Part number
VDD/VDDQ I/O width Package
Others
W949D6CBHX5I
1.8V/1.8V
16
60VFBGA 200MHz, -40C~85C, Low power
W949D6CBHX5E
1.8V/1.8V
16
60VFBGA 200MHz, -25C~85C, Low power
W949D6CBHX6E
1.8V/1.8V
16
60VFBGA 166MHz, -25C~85C, Low power
W949D6CBHX6G
1.8V/1.8V
16
60VFBGA 166MHz, -25C~85C
W949D2CBJX5I
1.8V/1.8V
32
90VFBGA 200MHz, -40C~85C, Low power
W949D2CBJX5E
1.8V/1.8V
32
90VFBGA 200MHz, -25C~85C, Low power
W949D2CBJX6E
1.8V/1.8V
32
90VFBGA 166MHz, -25C~85C, Low power
W949D2CBJX6G
1.8V/1.8V
32
90VFBGA 166MHz, -25C~85C
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