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参数资料
| 型号： | W949D2CBJX6G |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 16M X 32 DDR DRAM, 5 ns, PBGA90 |
| 封装： | 8 X 13 MM, 0.80 MM PITCH, HALOGEN FREE AND LEAD FREE, VFBGA-90 |
| 文件页数： | 41/60页 |
| 文件大小： | 1160K |
| 代理商： | W949D2CBJX6G |
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W949D6CB / W949D2CB
512Mb Mobile LPDDR
Publication Release Date: Jun, 14, 2011
- 46 -
Revision A01-006
8. ELECTRICAL CHARACTERISTIC
8.1 Absolute Maximum Ratings
PARAMETER
SYMBOL
VALUES
UNITS
MIN
MAX
Voltage on VDD relative to VSS
VDD
0.3
2.7
V
Voltage on VDDQ relative to VSS
VDDQ
0.3
2.7
V
Voltage on any pin relative to VSS
VIN, VOUT
0.3
2.7
V
Operation Case Temperature
Tc
-25
-40
85
°C
Storage Temperature
TSTG
55
150
°C
Short Circuit Output Current
IOUT
±50
mA
Power Dissipation
PD
1.0
W
8.2 Input/Output Capacitance
PARAMETER
SYMBOL
MIN
MAX
UNITS
NOTES
Input capacitance, CK,
CK
CCK
1.5
3.0
pF
Input capacitance delta, CK, CK
CDCK
0.25
pF
Input capacitance, all other input-only pins
CI
1.5
3.0
pF
Input capacitance delta, all other input-only pins
CDI
0.5
pF
Input/ output capacitance, DQ,DM,DQS
CIO
3.0
5.0
pF
3
Input/output capacitance delta, DQ, DM, DQS
CDIO
0.50
pF
3
Notes:
1.
These values are guaranteed by design.
2.
These capacitance values are for package with single monolithic devices only. Multiple die packages will have parallel capacitive loads.
3.
Although DM is an input-only pin, the input capacitance of this pin must model the input capacitance of the DQ and DQS pins. This is
required to match signal propagation times of DQ, DQS and DM in the system.
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