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参数资料
| 型号： | COP8CCR9KMT8 |
| 厂商： | National Semiconductor |
| 文件页数： | 103/111页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MCU EEPROM 8BIT 32K 56-TSSOP |
| 标准包装： | 34 |
| 系列： | COP8™ 8C |
| 核心处理器： | COP8 |
| 芯体尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 20MHz |
| 连通性： | Microwire/Plus（SPI），UART/USART |
| 外围设备： | 欠压检测/复位，POR，PWM，WDT |
| 输入/输出数： | 49 |
| 程序存储器容量： | 32KB（32K x 8） |
| 程序存储器类型： | 闪存 |
| RAM 容量： | 1K x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 2.7 V ~ 5.5 V |
| 数据转换器： | A/D 16x10b |
| 振荡器型： | 内部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 56-TFSOP（0.240"，6.10mm 宽） |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *COP8CCR9KMT8 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页当前第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页
SNOS535I – OCTOBER 2000 – REVISED MARCH 2013
The available addressing modes are:
Direct
Register B or X Indirect
Register B or X Indirect with Post-Incrementing/Decrementing
Immediate
Immediate Short
Indirect from Program Memory
The addressing modes are described below. Each description includes an example of an assembly
language instruction using the described addressing mode.
Direct. The memory address is specified directly as a byte in the instruction. In assembly language, the
direct address is written as a numerical value (or a label that has been defined elsewhere in the program
as a numerical value).
Example:
Load Accumulator Memory Direct
LD A,05
Reg/Data
Contents
Memory
Before
After
Accumulator
XX Hex
A6 Hex
Memory Location
A6 Hex
0005 Hex
Register B or X Indirect. The memory address is specified by the contents of the B Register or X register
(pointer register). In assembly language, the notation [B] or [X] specifies which register serves as the
pointer.
Example:
Exchange Memory with Accumulator, B Indirect
X A,[B]
Reg/Data
Contents
Memory
Before
After
Accumulator
01 Hex
87 Hex
Memory Location
87 Hex
01 Hex
0005 Hex
B Pointer
05 Hex
Register B or X Indirect with Post-Incrementing/Decrementing. The relevant memory address is
specified by the contents of the B Register or X register (pointer register). The pointer register is
automatically incremented or decremented after execution, allowing easy manipulation of memory blocks
with software loops. In assembly language, the notation [B+], [B
], [X+], or [X] specifies which register
serves as the pointer, and whether the pointer is to be incremented or decremented.
Example:
Exchange Memory with Accumulator, B Indirect with Post-Increment
X A,[B+]
Reg/Data
Contents
Memory
Before
After
Accumulator
03 Hex
62 Hex
Copyright 2000–2013, Texas Instruments Incorporated
Functional Description
91
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| COP8SAA716M8/NOPB | IC MCU OTP 8BIT 1K 16-SOIC |
| CP2101-GMR | IC CTRLR BRIDGE USB-UART 28MLP |
| CP2103-GMR | IC CTRLR BRIDGE USB-UART 28MLP |
| CP2104-F03-GM | IC SGL USB-TO-UART BRIDGE 24QFN |
| CP2105-F01-GM | IC SGL USB-DL UART BRIDGE 24QFN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| COP8CCR9LVA7 | 功能描述:8位微控制器 -MCU RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| COP8CCR9LVA7/63 | 制造商:Texas Instruments 功能描述: |
| COP8CCR9LVA7/63SN | 功能描述:闪存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| COP8CCR9LVA7/NOPB | 功能描述:8位微控制器 -MCU RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| COP8CCR9LVA763SN | 制造商:National Semiconductor 功能描述:MCU 8-bit COP8 CISC 32KB Flash 5V 68-Pin PLCC |
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