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参数资料
| 型号： | COP8CCR9KMT8 |
| 厂商： | National Semiconductor |
| 文件页数： | 13/111页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MCU EEPROM 8BIT 32K 56-TSSOP |
| 标准包装： | 34 |
| 系列： | COP8™ 8C |
| 核心处理器： | COP8 |
| 芯体尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 20MHz |
| 连通性： | Microwire/Plus（SPI），UART/USART |
| 外围设备： | 欠压检测/复位，POR，PWM，WDT |
| 输入/输出数： | 49 |
| 程序存储器容量： | 32KB（32K x 8） |
| 程序存储器类型： | 闪存 |
| RAM 容量： | 1K x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 2.7 V ~ 5.5 V |
| 数据转换器： | A/D 16x10b |
| 振荡器型： | 内部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 56-TFSOP（0.240"，6.10mm 宽） |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *COP8CCR9KMT8 |
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SNOS535I – OCTOBER 2000 – REVISED MARCH 2013
3
Electrical Specifications
3.1
Absolute Maximum Ratings
(1) (2)
Supply Voltage (VCC)
7V
Voltage at Any Pin
0.3V to VCC +0.3V
Total Current into VCC Pin (Source)
200 mA
Total Current out of GND Pin (Sink)
200 mA
Storage Temperature Range
65°C to +140°C
ESD Protection Level
2 kV (Human Body Model)
(1)
Absolute maximum ratings indicate limits beyond which damage to the device may occur. DC and AC electrical specifications are not
ensured when operating the device at absolute maximum ratings.
(2)
If Military/Aerospace specified devices are required, please contact the TI Sales Office/ Distributors for availability and specifications.
3.2
Electrical Characteristics DC Electrical Characteristics (
40°C ≤ T
A ≤ +85°C)
Datasheet min/max specification limits are ensured by design, test, or statistical analysis.
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Units
Operating Voltage
2.7
5.5
V
Power Supply Rise Time
10
50 x 106
ns
Power Supply Ripple(1)
Peak-to-Peak
0.1 VCC
V
Supply Current(2)
High Speed Mode
CKI = 10 MHz
VCC = 5.5V, tC = 0.5 μs
13.2
mA
CKI = 3.33 MHz
VCC = 4.5V, tC = 1.5 μs
6
mA
Dual Clock Mode
CKI = 10 MHz, Low Speed OSC = 32 kHz
VCC = 5.5V, tC = 0.5 μs
13.2
mA
CKI = 3.33 MHz, Low Speed OSC = 32 kHz
VCC = 4.5V, tC = 1.5 μs
6
mA
Low Speed Mode
Low Speed OSC = 32 kHz
VCC = 5.5V
60
103
μA
HALT Current with BOR Disabled(3)
High Speed Mode
VCC = 5.5V, CKI = 0 MHz
<2
10
μA
Dual Clock Mode
VCC = 5.5V, CKI = 0 MHz, Low
<5
17
μA
Speed OSC = 32 kHz
Low Speed Mode
VCC = 5.5V, CKI = 0 MHz, Low
<5
17
μA
Speed OSC = 32 kHz
Idle Current(2)
High Speed Mode
CKI = 10 MHz
VCC = 5.5V, tC = 0.5 μs
2.5
mA
CKI = 3.33 MHz
VCC = 4.5V, tC = 1.5 μs
1.2
mA
Dual Clock Mode
CKI = 10 MHz, Low Speed OSC = 32 kHz
VCC = 5.5V, tC = 0.5 μs
2.5
mA
CKI = 3.33 MHz, Low Speed OSC = 32 kHz
VCC = 4.5V, tC = 1.5 μs
1.2
mA
Low Speed Mode
Low Speed OSC = 32 kHz
VCC = 5.5V
15
30
μA
(1)
Maximum rate of voltage change must be < 0.5 V/ms.
(2)
Supply and IDLE currents are measured with CKI driven with a square wave Oscillator, CKO driven 180° out of phase with CKI, inputs
connected to VCC and outputs driven low but not connected to a load.
(3)
The HALT mode will stop CKI from oscillating. Measurement of IDD HALT is done with device neither sourcing nor sinking current; with
L. A. B, C, E, F, G0, and G2–G5 programmed as low outputs and not driving a load; all D outputs programmed low and not driving a
load; all inputs tied to VCC; A/D converter and clock monitor and BOR disabled. Parameter refers to HALT mode entered via setting bit 7
of the G Port data register.
Copyright 2000–2013, Texas Instruments Incorporated
Electrical Specifications
11
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PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
| COP8CCR9LVA7 | 功能描述:8位微控制器 -MCU RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| COP8CCR9LVA7/63 | 制造商:Texas Instruments 功能描述: |
| COP8CCR9LVA7/63SN | 功能描述:闪存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| COP8CCR9LVA7/NOPB | 功能描述:8位微控制器 -MCU RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| COP8CCR9LVA763SN | 制造商:National Semiconductor 功能描述:MCU 8-bit COP8 CISC 32KB Flash 5V 68-Pin PLCC |
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