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参数资料
| 型号： | COP8CCR9KMT8 |
| 厂商： | National Semiconductor |
| 文件页数： | 36/111页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MCU EEPROM 8BIT 32K 56-TSSOP |
| 标准包装： | 34 |
| 系列： | COP8™ 8C |
| 核心处理器： | COP8 |
| 芯体尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 20MHz |
| 连通性： | Microwire/Plus（SPI），UART/USART |
| 外围设备： | 欠压检测/复位，POR，PWM，WDT |
| 输入/输出数： | 49 |
| 程序存储器容量： | 32KB（32K x 8） |
| 程序存储器类型： | 闪存 |
| RAM 容量： | 1K x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 2.7 V ~ 5.5 V |
| 数据转换器： | A/D 16x10b |
| 振荡器型： | 内部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 56-TFSOP（0.240"，6.10mm 宽） |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *COP8CCR9KMT8 |
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SNOS535I – OCTOBER 2000 – REVISED MARCH 2013
5.8.1
Oscillator
CKI is the clock input while G7/CKO is the clock generator output to the crystal. An on-chip bias resistor
connected between CKI and CKO is provided to reduce system part count. The value of the resistor is in
the range of 0.5M to 2M (typically 1.0M). Table 5-1 shows the component values required for various
standard crystal values. Resistor R2 is on-chip, for the high speed oscillator, and is shown for reference.
Figure 5-6 and Figure 5-6 shows the crystal oscillator connection diagrams. A ceramic resonator of the
required frequency may be used in place of a crystal if the accuracy requirements are not quite as strict.
High Speed Oscillator
Low Speed Oscillator
Figure 5-6. Crystal Oscillator
Table 5-1. Crystal Oscillator Configuration, TA = 25°C, VCC = 5V
(1)
CKI Freq.
R1 (k
Ω)
R2 (M
Ω)
C1 (pF)
C2 (pF)
(MHz)
0
On Chip
18
10
0
On Chip
18
5
0
On Chip
18–36
1
5.6
On Chip
100
100–156
0.455
0
20
**
32.768 kHz*
(1)
*Applies to connection to low speed oscillator on port pins L0 and L1 only.
**See Note below.
The crystal and other oscillator components should be placed in close proximity to the CKI and CKO pins
to minimize printed circuit trace length.
The values for the external capacitors should be chosen to obtain the manufacturer's specified load
capacitance for the crystal when combined with the parasitic capacitance of the trace, socket, and
package (which can vary from 0 to 8 pF). The guideline in choosing these capacitors is:
Manufacturer's specified load cap = (C1 * C2) / (C1 + C2) + Cparasitic
C2 can be trimmed to obtain the desired frequency. C2 should be less than or equal to C1.
NOTE
The low power design of the low speed oscillator makes it extremely sensitive to board
layout and load capacitance. The user should place the crystal and load capacitors within
1cm. of the device and must ensure that the above equation for load capacitance is strictly
followed. If these conditions are not met, the application may have problems with startup of
the low speed oscillator.
30
Functional Description
Copyright 2000–2013, Texas Instruments Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| COP8SAA716M8/NOPB | IC MCU OTP 8BIT 1K 16-SOIC |
| CP2101-GMR | IC CTRLR BRIDGE USB-UART 28MLP |
| CP2103-GMR | IC CTRLR BRIDGE USB-UART 28MLP |
| CP2104-F03-GM | IC SGL USB-TO-UART BRIDGE 24QFN |
| CP2105-F01-GM | IC SGL USB-DL UART BRIDGE 24QFN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| COP8CCR9LVA7 | 功能描述:8位微控制器 -MCU RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| COP8CCR9LVA7/63 | 制造商:Texas Instruments 功能描述: |
| COP8CCR9LVA7/63SN | 功能描述:闪存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| COP8CCR9LVA7/NOPB | 功能描述:8位微控制器 -MCU RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| COP8CCR9LVA763SN | 制造商:National Semiconductor 功能描述:MCU 8-bit COP8 CISC 32KB Flash 5V 68-Pin PLCC |
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