收藏本站
参数资料
型号： COP8CCR9KMT8
厂商： National Semiconductor
文件页数： 17/111页
文件大小： 0K
描述： IC MCU EEPROM 8BIT 32K 56-TSSOP
标准包装： 34
系列： COP8™ 8C
核心处理器： COP8
芯体尺寸： 8-位
速度： 20MHz
连通性： Microwire/Plus（SPI），UART/USART
外围设备： 欠压检测/复位，POR，PWM，WDT
输入/输出数： 49
程序存储器容量： 32KB（32K x 8）
程序存储器类型： 闪存
RAM 容量： 1K x 8
电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： 2.7 V ~ 5.5 V
数据转换器： A/D 16x10b
振荡器型： 内部
工作温度： -40°C ~ 85°C
封装/外壳： 56-TFSOP（0.240"，6.10mm 宽）
包装： 管件
其它名称： *COP8CCR9KMT8
COP8CBR9, COP8CCR9, COP8CDR9
www.ti.com
SNOS535I – OCTOBER 2000 – REVISED MARCH 2013
3.3
Electrical Characteristics AC Electrical Characteristics (
40°C ≤ T
A ≤ +85°C)
Datasheet min/max specification limits are ensured by design, test, or statistical analysis.
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Units
Instruction Cycle Time (tC)
(1)
Crystal/Resonator
4.5V
≤ VCC ≤ 5.5V
0.5
DC
μs
2.7V
≤ VCC < 4.5V
1.5
DC
μs
Flash Memory Page Erase Time
See Table 5-12, Typical Flash
1
ms
Memory Endurance
Flash Memory Mass Erase Time
8
ms
Frequency of MICROWIRE/PLUS in Slave Mode
2
MHz
MICROWIRE/PLUS Setup Time (tUWS)
20
ns
MICROWIRE/PLUS Hold Time (tUWH)
20
ns
MICROWIRE/PLUS Output Propagation Delay (tUPD)
150
ns
Input Pulse Width
Interrupt Input High Time
1
tC
Interrupt Input Low Time
1
tC
Timer 1 Input High Time
1
tC
Timer 1 Input Low Time
1
tC
Timer 2, 3 Input High Time(2)
1
MCLK or tC
Timer 2, 3 Input Low Time(2)
1
MCLK or tC
Output Pulse Width
Timer 2, 3 Output High Time
150
ns
Timer 2, 3 Output Low Time
150
ns
USART Bit Time when using External CKX
6 CKI
periods
USART CKX Frequency when being
2
MHz
Driven by Internal Baud Rate Generator
Reset Pulse Width
1
tC
(1)
tC = instruction cycle time.
(2)
If timer is in high speed mode, the minimum time is 1 MCLK. If timer is not in high speed mode, the minimum time is 1 tC.
3.4
A/D Converter Electrical Characteristics (
40°C ≤ T
A ≤ +85°C unless otherwise noted)
(Single-ended mode only)
Datasheet min/max specification limits are ensured by design, test, or statistical analysis.
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Units
Resolution
10
Bits
DNL
VCC = 5V
±1
LSB
DNL
VCC = 3V,20°C ≤ TA ≤
±1
LSB
+85°C
INL
VCC = 5V
±3
LSB
INL
VCC = 3V,20°C ≤ TA ≤
±4
LSB
+85°C
Offset Error
VCC = 5V
+2.5,
1
LSB
Offset Error
VCC = 3V,20°C ≤ TA ≤
±2.5
LSB
+85°C
Gain Error
VCC = 5V
+0.5,
2.5
LSB
Gain Error
VCC = 3V,20°C ≤ TA ≤
±2.5
LSB
+85°C
Input Voltage Range
2.7V
≤ VCC < 5.5V
0
VCC
V
Analog Input Leakage Current
0.5
A
Analog Input Resistance(1)
6k
(1)
Resistance between the device input and the internal sample and hold capacitance.
Copyright 2000–2013, Texas Instruments Incorporated
Electrical Specifications
13
Submit Documentation Feedback
Product Folder Links: COP8CBR9 COP8CCR9 COP8CDR9
相关PDF资料
PDF描述
COP8SAA716M8/NOPB IC MCU OTP 8BIT 1K 16-SOIC
CP2101-GMR IC CTRLR BRIDGE USB-UART 28MLP
CP2103-GMR IC CTRLR BRIDGE USB-UART 28MLP
CP2104-F03-GM IC SGL USB-TO-UART BRIDGE 24QFN
CP2105-F01-GM IC SGL USB-DL UART BRIDGE 24QFN
相关代理商/技术参数
参数描述
COP8CCR9LVA7 功能描述:8位微控制器 -MCU RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT
COP8CCR9LVA7/63 制造商:Texas Instruments 功能描述:
COP8CCR9LVA7/63SN 功能描述:闪存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel
COP8CCR9LVA7/NOPB 功能描述:8位微控制器 -MCU RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT
COP8CCR9LVA763SN 制造商:National Semiconductor 功能描述:MCU 8-bit COP8 CISC 32KB Flash 5V 68-Pin PLCC
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*