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参数资料
| 型号： | COP8CCR9KMT8 |
| 厂商： | National Semiconductor |
| 文件页数： | 16/111页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MCU EEPROM 8BIT 32K 56-TSSOP |
| 标准包装： | 34 |
| 系列： | COP8™ 8C |
| 核心处理器： | COP8 |
| 芯体尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 20MHz |
| 连通性： | Microwire/Plus（SPI），UART/USART |
| 外围设备： | 欠压检测/复位，POR，PWM，WDT |
| 输入/输出数： | 49 |
| 程序存储器容量： | 32KB（32K x 8） |
| 程序存储器类型： | 闪存 |
| RAM 容量： | 1K x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 2.7 V ~ 5.5 V |
| 数据转换器： | A/D 16x10b |
| 振荡器型： | 内部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 56-TFSOP（0.240"，6.10mm 宽） |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *COP8CCR9KMT8 |
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SNOS535I – OCTOBER 2000 – REVISED MARCH 2013
Electrical Characteristics DC Electrical Characteristics (
40°C ≤ TA ≤ +85°C) (continued)
Datasheet min/max specification limits are ensured by design, test, or statistical analysis.
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Units
Supply Current for BOR Feature
VCC = 5.5V
45
μA
4.28
High Brownout Trip Level (BOR Enabled)
4.17
4.5
V
Low Brownout Trip Level (BOR Enabled)
2.7
2.78
2.9
V
Input Levels (VIH, VIL)
Logic High
0.8 VCC
V
Logic Low
0.16 VCC
V
Internal Bias Resistor for the CKI
0.3
1.0
2.5
M
Crystal/Resonator Oscillator
Hi-Z Input Leakage
VCC = 5.5V
0.5
+0.5
μA
Input Pullup Current
VCC = 5.5V, VIN = 0V
50
210
μA
Port Input Hysteresis
0.25 VCC
V
Output Current Levels
D Outputs
Source
VCC = 4.5V, VOH = 3.8V
7
mA
VCC = 2.7V, VOH = 1.8V
4
mA
Sink(4)
VCC = 4.5V, VOL = 1.0V
10
mA
VCC = 2.7V, VOL = 0.4V
3.5
mA
All Others
Source (Weak Pull-Up Mode)
VCC = 4.5V, VOH = 3.8V
10
μA
VCC = 2.7V, VOH = 1.8V
5
μA
Source (Push-Pull Mode)
VCC = 4.5V, VOH = 3.8V
7
mA
VCC = 2.7V, VOH = 1.8V
4
mA
Sink (Push-Pull Mode)(4)
VCC = 4.5V, VOL = 1.0V
10
mA
VCC = 2.7V, VOL = 0.4V
3.5
mA
TRI-STATE Leakage
VCC = 5.5V
0.5
+0.5
μA
Allowable Sink Current per Pin
15
mA
Maximum Input Current without Latchup(5)
±200
mA
RAM Retention Voltage, VR (in HALT Mode)
2.0
V
Input Capacitance
7
pF
Load Capacitance on D2
1000
pF
Voltage on G6 to Force Execution from Boot ROM(6)
G6 rise time must be slower than
2 x VCC
VCC + 7
V
100 ns
G6 Rise Time to Force Execution from Boot ROM
100
nS
Input Current on G6 when Input > VCC
VIN = 11V, VCC = 5.5V
500
μA
Flash Memory Data Retention
25°C
100
yrs
Flash Memory Number of Erase/Write Cycles
SeeTable 5-12, Typical Flash
105
cycles
Memory Endurance
(4)
Absolute Maximum Ratings should not be exceeded.
(5)
Pins G6 and RESET are designed with a high voltage input network. These pins allow input voltages > VCC and the pins will have sink
current to VCC when biased at voltages > VCC (the pins do not have source current when biased at a voltage below VCC). These two
pins will not latch up. The voltage at the pins must be limited to < 14V. WARNING: Voltages in excess of 14V will cause damage to the
pins. This warning excludes ESD transients.
(6)
Vcc must be valid and stable before G6 is raised to a high voltage.
12
Electrical Specifications
Copyright 2000–2013, Texas Instruments Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| COP8SAA716M8/NOPB | IC MCU OTP 8BIT 1K 16-SOIC |
| CP2101-GMR | IC CTRLR BRIDGE USB-UART 28MLP |
| CP2103-GMR | IC CTRLR BRIDGE USB-UART 28MLP |
| CP2104-F03-GM | IC SGL USB-TO-UART BRIDGE 24QFN |
| CP2105-F01-GM | IC SGL USB-DL UART BRIDGE 24QFN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| COP8CCR9LVA7 | 功能描述:8位微控制器 -MCU RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| COP8CCR9LVA7/63 | 制造商:Texas Instruments 功能描述: |
| COP8CCR9LVA7/63SN | 功能描述:闪存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| COP8CCR9LVA7/NOPB | 功能描述:8位微控制器 -MCU RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| COP8CCR9LVA763SN | 制造商:National Semiconductor 功能描述:MCU 8-bit COP8 CISC 32KB Flash 5V 68-Pin PLCC |
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