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参数资料
| 型号： | DDRSDRAM |
| 厂商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | DDR SDRAM Specification Version 0.61 |
| 中文描述： | DDR SDRAM的规格版本0.61 |
| 文件页数： | 32/49页 |
| 文件大小： | 750K |
| 代理商： | DDRSDRAM |
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REV. 0.61 August 9. '99
128Mb DDR SDRAM
Target
3.3.14 Power down
CKE
Precharge
Active
Active
power
down
Exit
Read
Active
power
down
Entry
power
down
Entry
Precharge
Command
～
～
～
～
～
～
CK
CK
The power down mode is entered when CKE is low and exited when CKE is high. Once the power down
mode is initiated, all of the receiver circuits except clock, CKE and DLL circuit tree are gated off to reduce
power consumption. The all banks should be in idle state prior to entering the precharge power down mode
and CKE should be set high at least 1tck+tIS prior to row active command . During power down mode, refresh
operations cannot be performed, therefore the device cannot remain in power down mode longer than the
refresh period(tREF) of the device.
Figure 23. Power down entry and exit timing
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