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参数资料
| 型号： | DDRSDRAM |
| 厂商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | DDR SDRAM Specification Version 0.61 |
| 中文描述： | DDR SDRAM的规格版本0.61 |
| 文件页数： | 8/49页 |
| 文件大小： | 750K |
| 代理商： | DDRSDRAM |
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- 8 of 63 -
REV. 0.61 August 9. '99
128Mb DDR SDRAM
Target
0 Mixed Interface(LVTTL & SSTL_3 & 3.3V V
DDQ
)
1 SSTL_2(2.5V V
DDQ
)
T 66pin TSOP-II
B BGA
C u - BGA(CSP)
Z 7.5ns, 133MHz@CL2 (266Mbps/pin)
Y 7.5ns, 133MHz@CL2.5(266Mbps/pin)
0 10ns, 100MHz @CL2(200Mbps/pin)
Blank 1st Gen.
A 2nd Gen.
B 3rd Gen.
C 4th Gen.
4 4M
8 8M
16 16M
32 32M
64 64M
12 128M
25 256M
51 512M
1G 1G
2G 2G
4G 4G
H DDR SDRAM(3.3V V
DD
)
L DDR SDRAM(2.5V V
DD
)
4 x4
8 x8
16 x16
32 x32
G Auto & Self Refresh
F Auto & Self Refresh with Low Power
3 4 Banks
4 8 Banks
4 DRAM
3. Organization
DDR SDRAM ORDERING INFORMATION
KM 4 XX L XX X X X X X - X X
1. SAMSUNG Memory
2. Device
3. Organization
4. Product & Voltage(V
DD
)
12. Speed
11. Power
10. Package Type
9. Revision
5. Depth
8. Interface & Voltage(V
DDQ
)
7. Number of Bank
1. SAMSUNG Memory
2. Device
4. Product & Voltage(V
DD
)
5. Depth
7. Number of Bank
8. Interface & Voltage(V
DDQ
)
9. Revision
10. Package Type
11. Power
12. Speed
6. Refresh
0 64m/4K(15.6us)
1 32m/2K(15.6us)
2 128m/8K(15.6us)
3 64m/8K(7.8us)
4 128m/16K(7.8us)
6. Refresh
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PDF描述 |
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