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参数资料
| 型号： | DDRSDRAM |
| 厂商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | DDR SDRAM Specification Version 0.61 |
| 中文描述： | DDR SDRAM的规格版本0.61 |
| 文件页数： | 36/49页 |
| 文件大小： | 750K |
| 代理商： | DDRSDRAM |
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- 36 of 63 -
REV. 0.61 August 9. '99
128Mb DDR SDRAM
Target
Current State
CS
RAS CAS
WE
Address
Command
Action
PRECHARG-
ING
(DURING tRP)
L
H
H
L
X
Burst Stop
ILLEGAL*2
L
H
L
X
BA, CA, A
10
READ/WRITE
ILLEGAL*2
L
L
H
H
BA, RA
Active
ILLEGAL*2
L
L
H
L
BA, A
10
PRE/PREA
NOP*4(Idle after
t
RP
)
ILLEGAL
L
L
L
H
X
Refresh
L
L
L
L
Op-Code, Mode-Add
MRS
ILLEGAL
ROW
ACTIVATING
(FROM ROW
ACTIVE TO
tRCD)
L
H
H
L
X
Burst Stop
ILLEGAL*2
L
H
L
X
BA, CA, A
10
READ/WRITE
ILLEGAL*2
L
L
H
H
BA, RA
Active
ILLEGAL*2
L
L
H
L
BA, A
10
PRE/PREA
ILLEGAL*2
L
L
L
H
X
Refresh
ILLEGAL
L
L
L
L
Op-Code, Mode-Add
MRS
ILLEGAL
WRITE
RECOVERING
(DURING tWR
OR tCDLR)
L
H
H
L
X
Burst Stop
ILLEGAL*2
L
H
L
H
BA, CA, A
10
READ
ILLEGAL*2
L
H
L
L
BA, CA, A
10
WRITE
WRITE
L
L
H
H
BA, RA
Active
ILLEGAL*2
L
L
H
L
BA, A
10
PRE/PREA
ILLEGAL*2
L
L
L
H
X
Refresh
ILLEGAL
L
L
L
L
Op-Code, Mode-Add
MRS
ILLEGAL
Table 9-3. Functional truth table
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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参数描述 |
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