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参数资料
| 型号： | DDRSDRAM |
| 厂商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | DDR SDRAM Specification Version 0.61 |
| 中文描述： | DDR SDRAM的规格版本0.61 |
| 文件页数： | 41/49页 |
| 文件大小： | 750K |
| 代理商： | DDRSDRAM |
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REV. 0.61 August 9. '99
128Mb DDR SDRAM
Target
8. AC Operating Conditions & Timming Specification
8.1 AC Operating Conditions
Parameter/Condition
Symbol
Min
Max
Unit
Note
Input High (Logic 1) Voltage, DQ, DQS and DM signals
Input Low (Logic 0) Voltage, DQ, DQS and DM signals.
Input Differential Voltage, CK and CK inputs
Input Crossing Point Voltage, CK and CK inputs
VIH(AC)
VIL(AC)
VID(AC)
VIX(AC)
VREF + 0.35
V
V
V
V
VREF - 0.35
VDDQ+0.6
0.5*VDDQ+0.2
0.7
0.5*VDDQ-0.2
1
2
Note 1. VID is the magnitude of the difference between the input level on CK and the input on CK.
2. The value of V
IX
is expected to equal 0.5*V
DDQ
of the transmitting device and must track variations in the DC level of the same.
Table 13. AC operating conditions
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