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参数资料
| 型号： | DDRSDRAM |
| 厂商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | DDR SDRAM Specification Version 0.61 |
| 中文描述： | DDR SDRAM的规格版本0.61 |
| 文件页数： | 49/49页 |
| 文件大小： | 750K |
| 代理商： | DDRSDRAM |
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REV. 0.61 August 9. '99
128Mb DDR SDRAM
Target
QFC timming on Write operation with tDQSSmax
QFC on writes is enabled as soon as possible after the clock edge of write command and disabled as soon
as possible after the last DQS-in low going edge.
2
0
1
5
3
4
6
7
Hi-Z
DQS@tDQSSmax
QFC
t
QCSW
t
QCHW
Dout 0Dout 1
BL = 2
Write
DQ’S@tDQSSmax
Command
CK
CK
QFC Timming on Write operation with tDQSSmin
DQS@tDQSSmin
DQ’S@tDQSSmin
QFC on writes is enabled as soon as possible after the clock edge of write command and disabled
as soon as possible after the last DQS-in low going edge.
2
0
1
5
3
4
6
7
Hi-Z
QFC
t
QCSW
t
QCHW
Dout 0 Dout 1
BL = 2
Write
Command
CK
CK
Figure 27. : QFC timing on write operation with tDQSSmax
Figure 28. : QFC timing on write operation with tDQSSmax
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