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参数资料
| 型号： | HY27SA081G1M-VPEB |
| 厂商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 128M X 8 FLASH 1.8V PROM, 12000 ns, PDSO48 |
| 封装： | 12 X 17 MM, 0.70 MM HEIGHT, LEAD FREE, WSOP1-48 |
| 文件页数： | 21/45页 |
| 文件大小： | 675K |
| 代理商： | HY27SA081G1M-VPEB |
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Rev 0.3 / May. 2004
29
Preliminary
HY27UA(08/16)1G1M Series
HY27SA(08/16)1G1M Series
1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash
Table 11: Operating and AC Measurement Conditions
Note : (1). TBD
Table 12: Capacitance
Note: TA = 25oC, f = 1 MHz. CIN and CI/O are not 100% tested.
Parameter
NAND Flash
Unit
Min
Max
Supply Voltage (VCC)
1.8V devices(1)
1.7
1.95
V
2.6V devices(1)
2.4
2.8
V
3.3V devices
2.7
3.6
V
Ambient Temperature (TA)
Commercial Temp.
0
70
oC
Indurstrial Temp.
-40
85
oC
Load Capacitance (CL) (1 TTL GATE and CL)
1.8V devices(1)
30
pF
2.6V devices(1)
30
pF
3.3V devices
100
pF
Input Pulses Voltages
1.8V devices(1)
0VCC
V
2.6V devices(1)
0VCC
V
3.3V devices
0.4
2.4
V
Input and Output Timing Ref. Voltages
1.8V devices(1)
VCC/2
V
2.6V devices(1)
V
3.3V devices
1.5
V
Input Rise and Fall Times
5
ns
Symbol
Parameter
Test Condition
Typ
Max
Unit
CIN
Input Capacitance
VIN = 0V
10
pF
CI/O
Input/Output Capacitance
VIL = 0V
10
pF
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| HY27SAXXX | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27SF081G2A | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash |
| HY27SF081G2A-F(P) | 制造商:SK Hynix Inc 功能描述: |
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