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参数资料
| 型号： | HY27SA081G1M-VPEB |
| 厂商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 128M X 8 FLASH 1.8V PROM, 12000 ns, PDSO48 |
| 封装： | 12 X 17 MM, 0.70 MM HEIGHT, LEAD FREE, WSOP1-48 |
| 文件页数： | 24/45页 |
| 文件大小： | 675K |
| 代理商： | HY27SA081G1M-VPEB |
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Rev 0.3 / May. 2004
31
Preliminary
HY27UA(08/16)1G1M Series
HY27SA(08/16)1G1M Series
1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash
Table 14: AC Characteristics for Command, Address, Data Input (3.3V Device and 1.8V Device)
Note 1: If tELWL is less than 10ns, tWLWH must be minimum 35ns, otherwise, tWLWH may be minimum 25ns.
Symbol
Alt.
Symbol
Parameter
3.3V
Device
1.8V
Device
Unit
tALLWL
tALS
Address Latch Low to Write Enable Low
ALE Setup time
Min
0
ns
tALHWL
Address Latch Hith to Write Enable Low
tCLHWL
tCLS
Command Latch High to Write Enable Low
CL Setup time
Min
0
ns
tCLLWL
Command Latch Low to Write Enable Low
tDVWH
tDS
Data Valid to Write Enable High
Data Setup time
Min
20
ns
tELWL
tCS
Chip Enable Low to Write Enable Low
CE Setup time
Min
0
ns
tWHALH
tALH
Write Enable High to Address Latch High
ALE Hold time
Min
10
ns
tWHALL
Write Enable High to Address Latch Low
tWHCLH
tCLH
Write Enable High to Command Latch High
CLE hold time
Min
10
ns
tWHCLL
Write Enable High to Command Latch Low
tWHDX
tDH
Write Enable High to Data Transition
Data Hold time
Min
10
ns
tWHEH
tCH
Write Enable High to Chip Enable High
CE Hold time
Min
10
ns
tWHWH
tWH
Write Enable High to Write Enable Low
WE High Hold
time
Min
15
20
ns
tWLWH
tWP
Write Enable Low to Write Enable High
WE Pulse Width
Min
40
60
ns
tWLWL
tWC
Write Enable Low to Write Enable Low
Write Cycle time
Min
60
80
ns
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| HY27SAXXX | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27SF081G2A | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash |
| HY27SF081G2A-F(P) | 制造商:SK Hynix Inc 功能描述: |
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